Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
RN1412TE85LF Альтернативные части: DTC125TKAT146 ,DTC144GKAT146
RN1412TE85LFToshiba Semiconductor and Storage
В наличии: 3000
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
5.152253 ₽
5.22 ₽
500
3.788393 ₽
1,894.23 ₽
1000
3.156978 ₽
3,157.01 ₽
2000
2.896387 ₽
5,792.72 ₽
5000
2.706896 ₽
13,534.48 ₽
10000
2.517981 ₽
25,179.81 ₽
15000
2.435179 ₽
36,527.75 ₽
50000
2.394505 ₽
119,725.27 ₽
Цена за единицу: 5.152253 ₽
Итоговая цена: 5.22 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | Bipolar Transistors - Pre-Biased BRT NPN Single 100mA IC 50V VCEO | TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3 | TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3 |
Срок поставки от производителя | 11 Weeks | - | - |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | - |
Корпус / Кейс | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3 |
Диэлектрический пробой напряжение | 50V | 50V | 50V |
Минимальная частота работы в герцах | 120 | 100 | 68 |
Пакетирование | Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2014 | 2009 | 2009 |
Состояние изделия | Discontinued | Not For New Designs | Not For New Designs |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Максимальная потеря мощности | 200mW | 200mW | 200mW |
Код соответствия REACH | unknown | - | - |
Направленность | NPN | NPN | NPN |
Конфигурация элемента | Single | Single | Single |
Тип транзистора | NPN - Pre-Biased | NPN - Pre-Biased | - |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 300mV | 50V | 50V |
Максимальный ток сбора | 100mA | 100mA | 100mA |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 120 @ 1mA 5V | 100 @ 1mA 5V | - |
Ток - отсечка коллектора (макс) | 100nA ICBO | 500nA ICBO | - |
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic | 300mV @ 250μA, 5mA | 300mV @ 50μA, 500μA | - |
Максимальное напряжение разрушения | 50V | - | 50V |
Частота - Переход | 250MHz | 250MHz | - |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5V | - | 5V |
База (R1) | 22 k Ω | 200 k Ω | - |
Прямоходящий ток коллектора | 100mA | - | 100mA |
Состояние RoHS | RoHS Compliant | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Количество контактов | - | 3 | 3 |
Количество элементов | - | 1 | 1 |
Код JESD-609 | - | e1 | e1 |
Безоловая кодировка | - | yes | yes |
Количество выводов | - | 3 | 3 |
Код ECCN | - | EAR99 | EAR99 |
Конечная обработка контакта | - | TIN SILVER COPPER | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
Максимальная рабочая температура | - | 150°C | 150°C |
Минимальная температура работы | - | -55°C | -55°C |
Дополнительная Характеристика | - | BUILT-IN BIAS RESISTOR | BUILT-IN BIAS RESISTOR |
Код ТН ВЭД | - | 8541.21.00.75 | 8541.21.00.75 |
Ток постоянного напряжения - номинальный | - | 50V | 50V |
Положение терминала | - | DUAL | DUAL |
Форма вывода | - | GULL WING | GULL WING |
Температура пайки (пиковая) (°C) | - | 260 | 260 |
Моментальный ток | - | 100mA | 100mA |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | - | 10 | 10 |
Основной номер части | - | DTC125 | - |
Число контактов | - | 3 | 3 |
Применение транзистора | - | SWITCHING | SWITCHING |
Частота перехода | - | 250MHz | 250MHz |
Корпусировка на излучение | - | No | No |
Без свинца | - | Lead Free | Lead Free |
Максимальный выходной ток | - | - | 100mA |
Входной напряжение питания | - | - | 50V |
Распад мощности | - | - | 200mW |
Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE) | - | - | 68 |
Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | RN1416,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TRANS PREBIAS NPN 0.2W S-MINI | Для сравнения |
| RN1404S,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Bipolar Transistors - Pre-Biased 50V VCBO 50V VCEO 100mA IC 200mW 4.7k | Для сравнения |
 | DTC125TKAT146 | ROHM Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3 | Для сравнения |
| DTC144GKAT146 | ROHM Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные | TO-236-3 | TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3 | Для сравнения |