Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
RN1108(T5L,F,T) Альтернативные части: RN1107,LF(CT ,DTC143ZETL
RN1108(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and Storage
В наличии: 1633
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
20.148462 ₽
20.19 ₽
10
19.007967 ₽
190.11 ₽
100
17.932033 ₽
1,793.27 ₽
500
16.917033 ₽
8,458.52 ₽
1000
15.959505 ₽
15,959.48 ₽
Цена за единицу: 20.148462 ₽
Итоговая цена: 20.19 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | Bipolar Transistors - Pre-Biased BRT NPN Single 100mA IC 50V VCEO | Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in transistor | TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3 |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | SC-75, SOT-416 | SC-75, SOT-416 | SC-75, SOT-416 |
Поставщик упаковки устройства | SSM | SSM | - |
Диэлектрический пробой напряжение | 50V | 50V | 50V |
Максимальный коллекторный ток (Ic) | 100mA | 100mA | - |
Минимальная частота работы в герцах | 80 | 80 | 80 |
Пакетирование | Cut Tape (CT) | Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2014 | 2014 | 2006 |
Состояние изделия | Discontinued | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Максимальная потеря мощности | 100mW | 100mW | 150mW |
Направленность | NPN | NPN | NPN |
Конфигурация элемента | Single | - | Single |
Мощность - Макс | 100mW | 100mW | - |
Тип транзистора | NPN - Pre-Biased | NPN - Pre-Biased | NPN - Pre-Biased |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 300mV | 300mV | 300mV |
Максимальный ток сбора | 100mA | 100mA | 100mA |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 80 @ 10mA 5V | 80 @ 10mA 5V | 80 @ 10mA 5V |
Ток - отсечка коллектора (макс) | 500nA | 500nA | 500nA |
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic | 300mV @ 250μA, 5mA | 300mV @ 250μA, 5mA | 300mV @ 250μA, 5mA |
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.) | 50V | 50V | - |
Максимальное напряжение разрушения | 50V | 50V | 50V |
Частота - Переход | 250MHz | 250MHz | 250MHz |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 7V | 6V | - |
База (R1) | 22 kOhms | 10 kOhms | 4.7 k Ω |
Прямоходящий ток коллектора | 100mA | 100mA | 100mA |
Резистор - Эмиттер-База (R2) | 47 kOhms | 47 kOhms | 47 k Ω |
Состояние RoHS | RoHS Compliant | RoHS Compliant | ROHS3 Compliant |
Срок поставки от производителя | - | 16 Weeks | 13 Weeks |
Покрытие контактов | - | - | Copper, Silver, Tin |
Количество контактов | - | - | 3 |
Количество элементов | - | - | 1 |
Код JESD-609 | - | - | e1 |
Безоловая кодировка | - | - | yes |
Количество выводов | - | - | 3 |
Завершение | - | - | SMD/SMT |
Код ECCN | - | - | EAR99 |
Конечная обработка контакта | - | - | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
Максимальная рабочая температура | - | - | 150°C |
Минимальная температура работы | - | - | -55°C |
Дополнительная Характеристика | - | - | BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 10 |
Код ТН ВЭД | - | - | 8541.21.00.75 |
Ток постоянного напряжения - номинальный | - | - | 50V |
Положение терминала | - | - | DUAL |
Форма вывода | - | - | GULL WING |
Температура пайки (пиковая) (°C) | - | - | 260 |
Моментальный ток | - | - | 100mA |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | - | - | 10 |
Основной номер части | - | - | DTC143 |
Число контактов | - | - | 3 |
Максимальный выходной ток | - | - | 100mA |
Входной напряжение питания | - | - | 50V |
Распад мощности | - | - | 150mW |
Применение транзистора | - | - | SWITCHING |
Частота перехода | - | - | 250MHz |
REACH SVHC | - | - | No SVHC |
Корпусировка на излучение | - | - | No |
Без свинца | - | - | Lead Free |
Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | DTC143ZETL | ROHM Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные | SC-75, SOT-416 | TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3 | Для сравнения |
 | RN1106,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные | SC-75, SOT-416 | Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in transistor | Для сравнения |
| DTC123JETL | ROHM Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные | SC-75, SOT-416 | TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3 | Для сравнения |
| RN1107,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные | SC-75, SOT-416 | Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in transistor | Для сравнения |