RN1108(T5L,F,T) Альтернативные части: RN1106,LF(CT

RN1108(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and Storage

В наличии: 1633

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
20.148462 ₽
20.19 ₽
10
19.007967 ₽
190.11 ₽
100
17.932033 ₽
1,793.27 ₽
500
16.917033 ₽
8,458.52 ₽
1000
15.959505 ₽
15,959.48 ₽

Цена за единицу: 20.148462 ₽

Итоговая цена: 20.19 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иRN1108(T5L,F,T)	иRN1106,LF(CT
Производитель:	Toshiba Semiconductor and Storage	Toshiba Semiconductor and Storage
Описание:	Bipolar Transistors - Pre-Biased BRT NPN Single 100mA IC 50V VCEO	Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in transistor
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	SC-75, SOT-416	SC-75, SOT-416
Поставщик упаковки устройства	SSM	-
Диэлектрический пробой напряжение	50V	50V
Максимальный коллекторный ток (Ic)	100mA	-
Минимальная частота работы в герцах	80	80
Пакетирование	Cut Tape (CT)	Tape & Reel (TR)
Опубликовано	2014	2014
Состояние изделия	Discontinued	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Максимальная потеря мощности	100mW	100mW
Направленность	NPN	NPN
Конфигурация элемента	Single	-
Мощность - Макс	100mW	-
Тип транзистора	NPN - Pre-Biased	NPN - Pre-Biased
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	300mV	300mV
Максимальный ток сбора	100mA	100mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce	80 @ 10mA 5V	80 @ 10mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)	500nA	500nA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic	300mV @ 250μA, 5mA	300mV @ 250μA, 5mA
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)	50V	-
Максимальное напряжение разрушения	50V	50V
Частота - Переход	250MHz	250MHz
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	7V	5V
База (R1)	22 kOhms	4.7 k Ω
Прямоходящий ток коллектора	100mA	100mA
Резистор - Эмиттер-База (R2)	47 kOhms	47 k Ω
Состояние RoHS	RoHS Compliant	RoHS Compliant
Срок поставки от производителя	-	12 Weeks

Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
DTC143ZETL	ROHM Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные	SC-75, SOT-416	TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3	Для сравнения
RN1106,LF(CT	Toshiba Semiconductor and Storage	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные	SC-75, SOT-416	Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in transistor	Для сравнения
DTC123JETL	ROHM Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные	SC-75, SOT-416	TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3	Для сравнения
RN1107,LF(CT	Toshiba Semiconductor and Storage	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные	SC-75, SOT-416	Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in transistor	Для сравнения