PDTC144WT,215 Альтернативные части: MMUN2211LT1 ,FJV3106RMTF

PDTC144WT,215Nexperia USA Inc.

В наличии: 311

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
2.264299 ₽
2.20 ₽
500
1.664931 ₽
832.42 ₽
1000
1.387459 ₽
1,387.50 ₽
2000
1.272898 ₽
2,545.74 ₽
5000
1.189629 ₽
5,948.08 ₽
10000
1.106635 ₽
11,066.35 ₽
15000
1.070261 ₽
16,053.85 ₽
50000
1.052321 ₽
52,616.07 ₽

Цена за единицу: 2.264299 ₽

Итоговая цена: 2.20 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иPDTC144WT,215	иMMUN2211LT1	иFJV3106RMTF
Производитель:	Nexperia USA Inc.	ON Semiconductor	ON Semiconductor
Описание:	TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB	TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3	TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
Срок поставки от производителя	4 Weeks	-	-
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Количество контактов	3	3	3
Диэлектрический пробой напряжение	50V	50V	50V
Количество элементов	1	1	-
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Cut Tape (CT)	Tape & Reel (TR)
Опубликовано	2009	2007	2002
Код JESD-609	e3	e0	-
Состояние изделия	Active	Obsolete	Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	3	3	-
Код ECCN	EAR99	EAR99	-
Конечная обработка контакта	Tin (Sn)	Tin/Lead (Sn/Pb)	-
Максимальная рабочая температура	150°C	150°C	150°C
Минимальная температура работы	-65°C	-55°C	-55°C
Дополнительная Характеристика	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 0.47	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1	-
Максимальная потеря мощности	250mW	246mW	200mW
Положение терминала	DUAL	DUAL	-
Форма вывода	GULL WING	GULL WING	-
Температура пайки (пиковая) (°C)	260	240	-
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	30	30	-
Основной номер части	PDTC144	MMUN22**L	-
Число контактов	3	3	-
Направленность	NPN	NPN	NPN
Напряжение	50V	-	-
Конфигурация элемента	Single	Single	Single
Текущий	1A	-	-
Применение транзистора	SWITCHING	SWITCHING	-
Тип транзистора	NPN - Pre-Biased	NPN - Pre-Biased	NPN - Pre-Biased
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	50V	50V	50V
Максимальный ток сбора	100mA	100mA	100mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce	60 @ 5mA 5V	35 @ 5mA 10V	68 @ 5mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)	1μA	500nA	100nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic	150mV @ 500μA, 5mA	250mV @ 300μA, 10mA	300mV @ 500μA, 10mA
Максимальное напряжение разрушения	50V	-	-
База (R1)	47 k Ω	10 k Ω	10 k Ω
Резистор - Эмиттер-База (R2)	22 k Ω	10 k Ω	47 k Ω
Корпусировка на излучение	No	-	-
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	Non-RoHS Compliant	RoHS Compliant
Без свинца	Lead Free	Contains Lead	Lead Free
Минимальная частота работы в герцах	-	35	68
Ток постоянного напряжения - номинальный	-	50V	50V
Код соответствия REACH	-	not_compliant	-
Моментальный ток	-	100mA	100mA
Квалификационный Статус	-	Not Qualified	-
Распад мощности	-	246mW	200mW
Прямоходящий ток коллектора	-	100mA	100mA
Частота - Переход	-	-	250MHz
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	-	-	10V

Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
FJV3106RMTF	ON Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3	Для сравнения
FJV3115RMTF	ON Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin SOT-23 T/R	Для сравнения
DDTC114GCA-7-F	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin SOT-23 T/R	Для сравнения
MMUN2211LT1	ON Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3	Для сравнения