Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
PDTC144WT,215 Альтернативные части: DDTC114GCA-7-F
PDTC144WT,215Nexperia USA Inc.
В наличии: 311
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
2.264299 ₽
2.20 ₽
500
1.664931 ₽
832.42 ₽
1000
1.387459 ₽
1,387.50 ₽
2000
1.272898 ₽
2,545.74 ₽
5000
1.189629 ₽
5,948.08 ₽
10000
1.106635 ₽
11,066.35 ₽
15000
1.070261 ₽
16,053.85 ₽
50000
1.052321 ₽
52,616.07 ₽
Цена за единицу: 2.264299 ₽
Итоговая цена: 2.20 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin SOT-23 T/R |
Срок поставки от производителя | 4 Weeks | 19 Weeks |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Количество контактов | 3 | 3 |
Диэлектрический пробой напряжение | 50V | 50V |
Количество элементов | 1 | 1 |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2009 | 2008 |
Код JESD-609 | e3 | e3 |
Состояние изделия | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 3 | 3 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 |
Конечная обработка контакта | Tin (Sn) | Matte Tin (Sn) |
Максимальная рабочая температура | 150°C | 150°C |
Минимальная температура работы | -65°C | -55°C |
Дополнительная Характеристика | BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 0.47 | BUILT-IN BIAS RESISTOR |
Максимальная потеря мощности | 250mW | 200mW |
Положение терминала | DUAL | DUAL |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | 260 |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 30 | 40 |
Основной номер части | PDTC144 | DDTC114 |
Число контактов | 3 | 3 |
Направленность | NPN | NPN |
Напряжение | 50V | - |
Конфигурация элемента | Single | Single |
Текущий | 1A | - |
Применение транзистора | SWITCHING | - |
Тип транзистора | NPN - Pre-Biased | NPN - Pre-Biased |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 50V | 50V |
Максимальный ток сбора | 100mA | 100mA |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 60 @ 5mA 5V | 30 @ 5mA 5V |
Ток - отсечка коллектора (макс) | 1μA | 500nA ICBO |
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic | 150mV @ 500μA, 5mA | 300mV @ 500μA, 10mA |
Максимальное напряжение разрушения | 50V | 50V |
База (R1) | 47 k Ω | - |
Резистор - Эмиттер-База (R2) | 22 k Ω | 10 k Ω |
Корпусировка на излучение | No | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free |
Вес | - | 7.994566mg |
Минимальная частота работы в герцах | - | 30 |
Безоловая кодировка | - | yes |
Код ТН ВЭД | - | 8541.21.00.75 |
Ток постоянного напряжения - номинальный | - | 50V |
Моментальный ток | - | 100mA |
Частота перехода | - | 250MHz |
Частота - Переход | - | 250MHz |
Прямоходящий ток коллектора | - | 100mA |
Высота | - | 1mm |
Длина | - | 3.05mm |
Ширина | - | 1.4mm |
Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | FJV3106RMTF | ON Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3 | Для сравнения |
| FJV3115RMTF | ON Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin SOT-23 T/R | Для сравнения |
 | DDTC114GCA-7-F | Diodes Incorporated | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin SOT-23 T/R | Для сравнения |
 | MMUN2211LT1 | ON Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3 | Для сравнения |