PDTC144WT,215 Альтернативные части: FJV3106RMTF ,FJV3115RMTF

PDTC144WT,215Nexperia USA Inc.

  • PDTC144WT,215Nexperia USA Inc.
  • FJV3106RMTFON Semiconductor
  • FJV3115RMTFON Semiconductor

В наличии: 311

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    2.264299 ₽

    2.20 ₽

  • 500

    1.664931 ₽

    832.42 ₽

  • 1000

    1.387459 ₽

    1,387.50 ₽

  • 2000

    1.272898 ₽

    2,545.74 ₽

  • 5000

    1.189629 ₽

    5,948.08 ₽

  • 10000

    1.106635 ₽

    11,066.35 ₽

  • 15000

    1.070261 ₽

    16,053.85 ₽

  • 50000

    1.052321 ₽

    52,616.07 ₽

Цена за единицу: 2.264299 ₽

Итоговая цена: 2.20 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB
TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin SOT-23 T/R
Срок поставки от производителя
4 Weeks
-
-
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Количество контактов
3
3
3
Диэлектрический пробой напряжение
50V
50V
50V
Количество элементов
1
-
1
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2009
2002
2013
Код JESD-609
e3
-
e3
Состояние изделия
Active
Obsolete
Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
3
-
3
Код ECCN
EAR99
-
EAR99
Конечная обработка контакта
Tin (Sn)
-
Tin (Sn)
Максимальная рабочая температура
150°C
150°C
150°C
Минимальная температура работы
-65°C
-55°C
-55°C
Дополнительная Характеристика
BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 0.47
-
BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 4.54
Максимальная потеря мощности
250mW
200mW
200mW
Положение терминала
DUAL
-
DUAL
Форма вывода
GULL WING
-
GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)
260
-
-
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
30
-
-
Основной номер части
PDTC144
-
FJV3115
Число контактов
3
-
-
Направленность
NPN
NPN
NPN
Напряжение
50V
-
-
Конфигурация элемента
Single
Single
Single
Текущий
1A
-
-
Применение транзистора
SWITCHING
-
SWITCHING
Тип транзистора
NPN - Pre-Biased
NPN - Pre-Biased
NPN - Pre-Biased
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
50V
50V
50V
Максимальный ток сбора
100mA
100mA
100mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
60 @ 5mA 5V
68 @ 5mA 5V
33 @ 10mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)
1μA
100nA ICBO
100nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
150mV @ 500μA, 5mA
300mV @ 500μA, 10mA
300mV @ 500μA, 10mA
Максимальное напряжение разрушения
50V
-
50V
База (R1)
47 k Ω
10 k Ω
2.2 k Ω
Резистор - Эмиттер-База (R2)
22 k Ω
47 k Ω
10 k Ω
Корпусировка на излучение
No
-
No
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
RoHS Compliant
RoHS Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Lead Free
Минимальная частота работы в герцах
-
68
33
Ток постоянного напряжения - номинальный
-
50V
50V
Моментальный ток
-
100mA
100mA
Распад мощности
-
200mW
-
Частота - Переход
-
250MHz
250MHz
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
-
10V
10V
Прямоходящий ток коллектора
-
100mA
100mA
Состояние жизненного цикла
-
-
LAST SHIPMENTS (Last Updated: 3 days ago)
Вес
-
-
30mg
Безоловая кодировка
-
-
yes
Код ТН ВЭД
-
-
8541.21.00.95
Частота перехода
-
-
250MHz
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
-
-
50V
Высота
-
-
930μm
Длина
-
-
2.92mm
Ширина
-
-
1.3mm