PD55015-E Альтернативные части: IRF7241TRPBF

PD55015-ESTMicroelectronics

В наличии: 735

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
2,036.913516 ₽
2,036.95 ₽
10
1,921.616538 ₽
19,216.21 ₽
100
1,812.845742 ₽
181,284.62 ₽
500
1,710.231827 ₽
855,115.93 ₽
1000
1,613.426250 ₽
1,613,426.24 ₽

Цена за единицу: 2,036.913516 ₽

Итоговая цена: 2,036.95 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иPD55015-E	иIRF7241TRPBF
Производитель:	STMicroelectronics	Infineon Technologies
Описание:	STMICROELECTRONICS PD55015-E RF FET Transistor, 40 V, 5 A, 73 W, 480 MHz, 520 MHz, PowerSO-10RF	MOSFET P-CH 40V 6.2A 8-SOIC
Состояние жизненного цикла	ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)	-
Срок поставки от производителя	25 Weeks	12 Weeks
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Количество контактов	2	8
Количество элементов	1	1
Пакетирование	Tube	Tape & Reel (TR)
Код JESD-609	e3	e3
Состояние изделия	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	3 (168 Hours)	1 (Unlimited)
Количество выводов	2	8
Код ECCN	EAR99	EAR99
Конечная обработка контакта	Matte Tin (Sn) - annealed	Matte Tin (Sn)
Максимальная рабочая температура	165°C	-
Минимальная температура работы	-65°C	-
Дополнительная Характеристика	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY
Максимальная потеря мощности	73W	-
Положение терминала	DUAL	DUAL
Форма вывода	GULL WING	GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)	250	260
Моментальный ток	5A	-6.2A
Частота	500MHz	-
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	30	30
Основной номер части	PD55015	-
Число контактов	10	-
Конфигурация элемента	Single	Single
Режим работы	ENHANCEMENT MODE	-
Распад мощности	73W	2.5W
Сокетная связка	SOURCE	-
Ток - испытание	150mA	-
Применение транзистора	AMPLIFIER	SWITCHING
Напряжение стока-исток (Vdss)	40V	40V
Полярность/Тип канала	N-CHANNEL	-
Тип транзистора	LDMOS	-
Непрерывный ток стока (ID)	5A	-6.2A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)	20V	20V
Максимальная мощность выхода	15W	-
Максимальный сливовой ток (ID)	5A	-
Напряжение пробоя стока к истоку	40V	-40V
Входной ёмкости	89pF	-
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	-
Напряжение - испытание	12.5V	-
Минимальная разрушающая напряжение	40V	-
Коэффициент усиления мощности	14dB	-
Высота	3.5mm	1.4986mm
Длина	7.5mm	4.9784mm
Ширина	9.4mm	3.9878mm
REACH SVHC	No SVHC	No SVHC
Корпусировка на излучение	No	No
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	Contains Lead, Lead Free
Вид крепления	-	Surface Mount
Материал элемента транзистора	-	SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C	-	6.2A Ta
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)	-	4.5V 10V
Максимальная мощность рассеяния	-	2.5W Ta
Время отключения	-	210 ns
Рабочая температура	-	-55°C~150°C TJ
Серия	-	HEXFET®
Опубликовано	-	2004
Сопротивление	-	41MOhm
Ток постоянного напряжения - номинальный	-	-40V
Время задержки включения	-	24 ns
Тип ТРВ	-	P-Channel
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs	-	41m Ω @ 6.2A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id	-	3V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds	-	3220pF @ 25V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs	-	80nC @ 10V
Время подъема	-	280ns
Угол настройки (макс.)	-	±20V
Время падения (тип)	-	100 ns
Пороговое напряжение	-	-3V
Двухпитание напряжения	-	-40V
Время восстановления	-	48 ns
Номинальное Vgs	-	-3 V

Транзисторы - FET, MOSFET - РЧ Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
FDS4897AC	ON Semiconductor	Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET N/P-CH 40V 6.1A/5.2A 8SO	Для сравнения
FDS8949	ON Semiconductor	Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	ON SEMICONDUCTOR - FDS8949 - DUAL N CHANNEL MOSFET, 40V, SOIC, FULL REEL	Для сравнения
IRF7241TRPBF	Infineon Technologies	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET P-CH 40V 6.2A 8-SOIC	Для сравнения