Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
PD55015-E Альтернативные части: FDS4897AC
PD55015-ESTMicroelectronics
В наличии: 735
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
2,036.913516 ₽
2,036.95 ₽
10
1,921.616538 ₽
19,216.21 ₽
100
1,812.845742 ₽
181,284.62 ₽
500
1,710.231827 ₽
855,115.93 ₽
1000
1,613.426250 ₽
1,613,426.24 ₽
Цена за единицу: 2,036.913516 ₽
Итоговая цена: 2,036.95 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | STMICROELECTRONICS PD55015-E RF FET Transistor, 40 V, 5 A, 73 W, 480 MHz, 520 MHz, PowerSO-10RF | MOSFET N/P-CH 40V 6.1A/5.2A 8SO |
Состояние жизненного цикла | ACTIVE (Last Updated: 8 months ago) | ACTIVE (Last Updated: 1 day ago) |
Срок поставки от производителя | 25 Weeks | 12 Weeks |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads) | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
Количество контактов | 2 | 8 |
Количество элементов | 1 | 2 |
Пакетирование | Tube | Tape & Reel (TR) |
Код JESD-609 | e3 | e3 |
Состояние изделия | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 3 (168 Hours) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 2 | 8 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 |
Конечная обработка контакта | Matte Tin (Sn) - annealed | Tin (Sn) |
Максимальная рабочая температура | 165°C | - |
Минимальная температура работы | -65°C | - |
Дополнительная Характеристика | HIGH RELIABILITY | - |
Максимальная потеря мощности | 73W | 900mW |
Положение терминала | DUAL | DUAL |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 250 | NOT SPECIFIED |
Моментальный ток | 5A | - |
Частота | 500MHz | - |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 30 | NOT SPECIFIED |
Основной номер части | PD55015 | - |
Число контактов | 10 | - |
Конфигурация элемента | Single | - |
Режим работы | ENHANCEMENT MODE | - |
Распад мощности | 73W | 2W |
Сокетная связка | SOURCE | - |
Ток - испытание | 150mA | - |
Применение транзистора | AMPLIFIER | - |
Напряжение стока-исток (Vdss) | 40V | - |
Полярность/Тип канала | N-CHANNEL | N-CHANNEL AND P-CHANNEL |
Тип транзистора | LDMOS | - |
Непрерывный ток стока (ID) | 5A | 5.2A |
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs) | 20V | 20V |
Максимальная мощность выхода | 15W | - |
Максимальный сливовой ток (ID) | 5A | 6.1A |
Напряжение пробоя стока к истоку | 40V | 40V |
Входной ёмкости | 89pF | - |
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток) | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
Напряжение - испытание | 12.5V | - |
Минимальная разрушающая напряжение | 40V | - |
Коэффициент усиления мощности | 14dB | - |
Высота | 3.5mm | 1.575mm |
Длина | 7.5mm | 4.9mm |
Ширина | 9.4mm | 3.9mm |
REACH SVHC | No SVHC | No SVHC |
Корпусировка на излучение | No | - |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free |
Вид крепления | - | Surface Mount |
Вес | - | 187mg |
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C | - | 6.1A 5.2A |
Время отключения | - | 17 ns |
Рабочая температура | - | -55°C~150°C TJ |
Серия | - | PowerTrench® |
Опубликовано | - | 2006 |
Безоловая кодировка | - | yes |
Сопротивление | - | 26MOhm |
Квалификационный Статус | - | Not Qualified |
Время задержки включения | - | 8 ns |
Тип ТРВ | - | N and P-Channel |
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs | - | 26m Ω @ 6.1A, 10V |
Втс(th) (Макс) @ Id | - | 3V @ 250μA |
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds | - | 1055pF @ 20V |
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs | - | 21nC @ 10V |
Время подъема | - | 3ns |
Время падения (тип) | - | 3 ns |
Пороговое напряжение | - | 2V |
Характеристика ТРП | - | Logic Level Gate |
Транзисторы - FET, MOSFET - РЧ Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | FDS4897AC | ON Semiconductor | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N/P-CH 40V 6.1A/5.2A 8SO | Для сравнения |
| FDS8949 | ON Semiconductor | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | ON SEMICONDUCTOR - FDS8949 - DUAL N CHANNEL MOSFET, 40V, SOIC, FULL REEL | Для сравнения |
 | IRF7241TRPBF | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET P-CH 40V 6.2A 8-SOIC | Для сравнения |