Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
PBRP113ZT,215 Альтернативные части: FSBCW30
PBRP113ZT,215Nexperia USA Inc.
В наличии: 9131
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
26.864615 ₽
26.92 ₽
10
25.343984 ₽
253.43 ₽
100
23.909409 ₽
2,390.93 ₽
500
22.556016 ₽
11,278.02 ₽
1000
21.279272 ₽
21,279.26 ₽
Цена за единицу: 26.864615 ₽
Итоговая цена: 26.92 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | Trans Digital BJT PNP 40V 600mA Automotive 3-Pin TO-236AB T/R | TRANS PNP 32V 0.5A SSOT-3 |
Срок поставки от производителя | 4 Weeks | - |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Количество контактов | 3 | 3 |
Диэлектрический пробой напряжение | 40V | 32V |
Количество элементов | 1 | - |
Минимальная частота работы в герцах | 190 | 215 |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2007 | - |
Код JESD-609 | e3 | - |
Состояние изделия | Active | Obsolete |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 3 | - |
Код ECCN | EAR99 | - |
Конечная обработка контакта | Tin (Sn) | - |
Максимальная рабочая температура | 150°C | - |
Минимальная температура работы | -55°C | - |
Дополнительная Характеристика | BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 10 | - |
Максимальная потеря мощности | 250mW | 500mW |
Положение терминала | DUAL | - |
Форма вывода | GULL WING | - |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | - |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 30 | - |
Основной номер части | PBRP113 | BCW30 |
Число контактов | 3 | - |
Направленность | PNP | - |
Конфигурация элемента | Single | Single |
Распад мощности | 250mW | - |
Применение транзистора | SWITCHING | - |
Тип транзистора | PNP - Pre-Biased | PNP |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 750mV | 300mV |
Максимальный ток сбора | 600mA | 500mA |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 230 @ 300mA 5V | 215 @ 2mA 5V |
Ток - отсечка коллектора (макс) | 500nA | 100nA ICBO |
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic | 750mV @ 6mA, 600mA | 300mV @ 500μA, 10mA |
Максимальное напряжение разрушения | 40V | - |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | -5V | 5V |
База (R1) | 1 k Ω | - |
Резистор - Эмиттер-База (R2) | 10 k Ω | - |
Корпусировка на излучение | No | - |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | RoHS Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free |
Рабочая температура | - | -55°C~150°C TJ |
Ток постоянного напряжения - номинальный | - | -32V |
Моментальный ток | - | 500mA |
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО) | - | 32V |
Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | DTB143TKT146 | ROHM Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3 | Для сравнения |
 | SST4403T116 | ROHM Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TRANS PNP 40V 0.6A SST3 | Для сравнения |
 | FSBCW30 | ON Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TRANS PNP 32V 0.5A SSOT-3 | Для сравнения |
| DTA144GKAT146 | ROHM Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные | TO-236-3 | TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3 | Для сравнения |