Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
PBRP113ZT,215 Альтернативные части: DTB143TKT146
PBRP113ZT,215Nexperia USA Inc.
В наличии: 9131
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
26.864615 ₽
26.92 ₽
10
25.343984 ₽
253.43 ₽
100
23.909409 ₽
2,390.93 ₽
500
22.556016 ₽
11,278.02 ₽
1000
21.279272 ₽
21,279.26 ₽
Цена за единицу: 26.864615 ₽
Итоговая цена: 26.92 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | Trans Digital BJT PNP 40V 600mA Automotive 3-Pin TO-236AB T/R | TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3 |
Срок поставки от производителя | 4 Weeks | 7 Weeks |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Количество контактов | 3 | 3 |
Диэлектрический пробой напряжение | 40V | 40V |
Количество элементов | 1 | 1 |
Минимальная частота работы в герцах | 190 | 100 |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2007 | 2006 |
Код JESD-609 | e3 | e1 |
Состояние изделия | Active | Not For New Designs |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 3 | 3 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 |
Конечная обработка контакта | Tin (Sn) | TIN SILVER COPPER |
Максимальная рабочая температура | 150°C | 150°C |
Минимальная температура работы | -55°C | -55°C |
Дополнительная Характеристика | BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 10 | BUILT-IN BIAS RESISTOR |
Максимальная потеря мощности | 250mW | 200mW |
Положение терминала | DUAL | DUAL |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | 260 |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 30 | 10 |
Основной номер части | PBRP113 | DTB143 |
Число контактов | 3 | 3 |
Направленность | PNP | PNP |
Конфигурация элемента | Single | Single |
Распад мощности | 250mW | 200mW |
Применение транзистора | SWITCHING | SWITCHING |
Тип транзистора | PNP - Pre-Biased | PNP - Pre-Biased |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 750mV | 300mV |
Максимальный ток сбора | 600mA | 500mA |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 230 @ 300mA 5V | 100 @ 50mA 5V |
Ток - отсечка коллектора (макс) | 500nA | 500nA ICBO |
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic | 750mV @ 6mA, 600mA | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
Максимальное напряжение разрушения | 40V | 40V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | -5V | -5V |
База (R1) | 1 k Ω | 4.7 k Ω |
Резистор - Эмиттер-База (R2) | 10 k Ω | - |
Корпусировка на излучение | No | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free |
Безоловая кодировка | - | yes |
Код ТН ВЭД | - | 8541.21.00.75 |
Ток постоянного напряжения - номинальный | - | -40V |
Моментальный ток | - | -500mA |
Частота перехода | - | 200MHz |
Частота - Переход | - | 200MHz |
Прямоходящий ток коллектора | - | -500mA |
Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | DTB143TKT146 | ROHM Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3 | Для сравнения |
 | SST4403T116 | ROHM Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TRANS PNP 40V 0.6A SST3 | Для сравнения |
 | FSBCW30 | ON Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TRANS PNP 32V 0.5A SSOT-3 | Для сравнения |
| DTA144GKAT146 | ROHM Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные | TO-236-3 | TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3 | Для сравнения |