Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
NVMFS5834NLT1G Альтернативные части: NVMFD5853NLT1G ,NTMFD4C20NT1G
NVMFS5834NLT1GON Semiconductor
В наличии: 88
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
83.472198 ₽
83.52 ₽
10
78.747390 ₽
787.50 ₽
100
74.289973 ₽
7,428.98 ₽
500
70.084890 ₽
35,042.45 ₽
1000
66.117747 ₽
66,117.72 ₽
Цена за единицу: 83.472198 ₽
Итоговая цена: 83.52 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | Power MOSFET 40V, 75A, 9.3 mOhm, Single N-Channel, SO8-FL, Logic Level. Power MOSFET | MOSFET NFET SO8FL 40V 29A 10MOHM | MOSFET NFET SO8FL 30V 27A 3.4MOH |
Состояние жизненного цикла | ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 2 days ago) | ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 2 days ago) | ACTIVE (Last Updated: 2 days ago) |
Срок поставки от производителя | 38 Weeks | 13 Weeks | 24 Weeks |
Покрытие контактов | Tin | - | Tin |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | 8-PowerTDFN | 8-PowerTDFN | 8-PowerTDFN |
Поверхностный монтаж | YES | YES | YES |
Количество контактов | 5 | 8 | 8 |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON | - |
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C | 14A Ta 75A Tc | - | 9.1A 13.7A |
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On) | 4.5V 10V | - | - |
Количество элементов | 1 | 2 | - |
Максимальная мощность рассеяния | 3.6W Ta 107W Tc | - | - |
Время отключения | 17.4 ns | 22 ns | - |
Рабочая температура | -55°C~175°C TJ | -55°C~175°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2012 | 2013 | 2013 |
Код JESD-609 | e3 | e3 | e3 |
Безоловая кодировка | yes | yes | yes |
Состояние изделия | Not For New Designs | Not For New Designs | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 5 | 6 | - |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
Положение терминала | DUAL | - | - |
Форма вывода | FLAT | FLAT | - |
Число контактов | 5 | 8 | 8 |
Конфигурация элемента | Single | Dual | Dual |
Режим работы | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | - |
Распад мощности | 3W | - | - |
Сокетная связка | DRAIN | DRAIN | - |
Время задержки включения | 10 ns | 10 ns | - |
Тип ТРВ | N-Channel | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) |
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs | 9.3m Ω @ 20A, 10V | 10m Ω @ 15A, 10V | 7.3m Ω @ 10A, 10V |
Втс(th) (Макс) @ Id | 3V @ 250μA | 2.4V @ 250μA | 2.1V @ 250μA |
Без галогенов | Halogen Free | Halogen Free | Halogen Free |
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds | 1231pF @ 20V | 1100pF @ 25V | 970pF @ 15V |
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs | 24nC @ 10V | 23nC @ 10V | 9.3nC @ 4.5V |
Время подъема | 56.4ns | - | - |
Напряжение стока-исток (Vdss) | 40V | 40V | 30V |
Угол настройки (макс.) | ±20V | - | - |
Время падения (тип) | 6.6 ns | - | - |
Непрерывный ток стока (ID) | 14A | 12A | 13.7A |
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs) | 20V | 20V | 20V |
Максимальный импульсный ток вывода | 276A | 165A | - |
Минимальная напряжённость разрушения | 40V | - | - |
Рейтинг энергии лавины (Eas) | 48 mJ | 40 mJ | - |
Корпусировка на излучение | No | No | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free | Lead Free |
Конечная обработка контакта | - | Tin (Sn) | - |
Максимальная потеря мощности | - | 3W | 1.15W |
Нормативная Марка | - | AEC-Q101 | - |
Код JESD-30 | - | R-PDSO-F6 | - |
Максимальный сливовой ток (ID) | - | 34A | 27.4A |
Сопротивление открытого канала-макс | - | 0.015Ohm | - |
Напряжение пробоя стока к истоку | - | 40V | - |
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток) | - | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
Характеристика ТРП | - | Logic Level Gate | Standard |
Высота | - | 1.05mm | - |
Длина | - | 6.1mm | - |
Ширина | - | 5.1mm | - |
Мощность - Макс | - | - | 1.09W 1.15W |
Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | DMN4020LFDE-7 | Diodes Incorporated | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 6-UDFN Exposed Pad | MOSFET N-CH 40V 6-UDFN | Для сравнения |
 | NTMFS5834NLT1G | ON Semiconductor | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-PowerTDFN, 5 Leads | MOSFET N-CH 40V 13A SO-8FL | Для сравнения |
 | NVMFD5853NLT1G | ON Semiconductor | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | 8-PowerTDFN | MOSFET NFET SO8FL 40V 29A 10MOHM | Для сравнения |
 | NTMFD4C20NT1G | ON Semiconductor | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | 8-PowerTDFN | MOSFET NFET SO8FL 30V 27A 3.4MOH | Для сравнения |