Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
NVMFS5834NLT1G Альтернативные части: NTMFS5834NLT1G
NVMFS5834NLT1GON Semiconductor
В наличии: 88
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
83.472198 ₽
83.52 ₽
10
78.747390 ₽
787.50 ₽
100
74.289973 ₽
7,428.98 ₽
500
70.084890 ₽
35,042.45 ₽
1000
66.117747 ₽
66,117.72 ₽
Цена за единицу: 83.472198 ₽
Итоговая цена: 83.52 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | Power MOSFET 40V, 75A, 9.3 mOhm, Single N-Channel, SO8-FL, Logic Level. Power MOSFET | MOSFET N-CH 40V 13A SO-8FL |
Состояние жизненного цикла | ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 2 days ago) | LAST SHIPMENTS (Last Updated: 3 days ago) |
Срок поставки от производителя | 38 Weeks | - |
Покрытие контактов | Tin | - |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | 8-PowerTDFN | 8-PowerTDFN, 5 Leads |
Поверхностный монтаж | YES | YES |
Количество контактов | 5 | 5 |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON |
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C | 14A Ta 75A Tc | 14A Ta 75A Tc |
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On) | 4.5V 10V | 4.5V 10V |
Количество элементов | 1 | 1 |
Максимальная мощность рассеяния | 3.6W Ta 107W Tc | 3.6W Ta 107W Tc |
Время отключения | 17.4 ns | 17.4 ns |
Рабочая температура | -55°C~175°C TJ | -55°C~175°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2012 | 2010 |
Код JESD-609 | e3 | e3 |
Безоловая кодировка | yes | yes |
Состояние изделия | Not For New Designs | Obsolete |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 5 | 5 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 |
Положение терминала | DUAL | DUAL |
Форма вывода | FLAT | FLAT |
Число контактов | 5 | 5 |
Конфигурация элемента | Single | Single |
Режим работы | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
Распад мощности | 3W | 3W |
Сокетная связка | DRAIN | DRAIN |
Время задержки включения | 10 ns | 10 ns |
Тип ТРВ | N-Channel | N-Channel |
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs | 9.3m Ω @ 20A, 10V | 9.3m Ω @ 20A, 10V |
Втс(th) (Макс) @ Id | 3V @ 250μA | 3V @ 250μA |
Без галогенов | Halogen Free | - |
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds | 1231pF @ 20V | 1231pF @ 20V |
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs | 24nC @ 10V | 24nC @ 10V |
Время подъема | 56.4ns | 56.4ns |
Напряжение стока-исток (Vdss) | 40V | 40V |
Угол настройки (макс.) | ±20V | ±20V |
Время падения (тип) | 6.6 ns | 6.6 ns |
Непрерывный ток стока (ID) | 14A | 14A |
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs) | 20V | 20V |
Максимальный импульсный ток вывода | 276A | 276A |
Минимальная напряжённость разрушения | 40V | 40V |
Рейтинг энергии лавины (Eas) | 48 mJ | 48 mJ |
Корпусировка на излучение | No | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | RoHS Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free |
Конечная обработка контакта | - | Tin (Sn) |
Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | DMN4020LFDE-7 | Diodes Incorporated | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 6-UDFN Exposed Pad | MOSFET N-CH 40V 6-UDFN | Для сравнения |
 | NTMFS5834NLT1G | ON Semiconductor | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-PowerTDFN, 5 Leads | MOSFET N-CH 40V 13A SO-8FL | Для сравнения |
 | NVMFD5853NLT1G | ON Semiconductor | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | 8-PowerTDFN | MOSFET NFET SO8FL 40V 29A 10MOHM | Для сравнения |
 | NTMFD4C20NT1G | ON Semiconductor | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | 8-PowerTDFN | MOSFET NFET SO8FL 30V 27A 3.4MOH | Для сравнения |