Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
NVMFS5834NLT1G Альтернативные части: NTMFD4C20NT1G ,DMN4020LFDE-7
NVMFS5834NLT1GON Semiconductor
В наличии: 88
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
83.472198 ₽
83.52 ₽
10
78.747390 ₽
787.50 ₽
100
74.289973 ₽
7,428.98 ₽
500
70.084890 ₽
35,042.45 ₽
1000
66.117747 ₽
66,117.72 ₽
Цена за единицу: 83.472198 ₽
Итоговая цена: 83.52 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | Power MOSFET 40V, 75A, 9.3 mOhm, Single N-Channel, SO8-FL, Logic Level. Power MOSFET | MOSFET NFET SO8FL 30V 27A 3.4MOH | MOSFET N-CH 40V 6-UDFN |
Состояние жизненного цикла | ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 2 days ago) | ACTIVE (Last Updated: 2 days ago) | - |
Срок поставки от производителя | 38 Weeks | 24 Weeks | 22 Weeks |
Покрытие контактов | Tin | Tin | - |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | 8-PowerTDFN | 8-PowerTDFN | 6-UDFN Exposed Pad |
Поверхностный монтаж | YES | YES | - |
Количество контактов | 5 | 8 | 6 |
Материал элемента транзистора | SILICON | - | - |
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C | 14A Ta 75A Tc | 9.1A 13.7A | 8A Ta |
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On) | 4.5V 10V | - | 4.5V 10V |
Количество элементов | 1 | - | - |
Максимальная мощность рассеяния | 3.6W Ta 107W Tc | - | 660mW Ta |
Время отключения | 17.4 ns | - | 15.1 ns |
Рабочая температура | -55°C~175°C TJ | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2012 | 2013 | 2013 |
Код JESD-609 | e3 | e3 | e4 |
Безоловая кодировка | yes | yes | - |
Состояние изделия | Not For New Designs | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 5 | - | - |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
Положение терминала | DUAL | - | - |
Форма вывода | FLAT | - | - |
Число контактов | 5 | 8 | - |
Конфигурация элемента | Single | Dual | Single |
Режим работы | ENHANCEMENT MODE | - | - |
Распад мощности | 3W | - | - |
Сокетная связка | DRAIN | - | - |
Время задержки включения | 10 ns | - | 5.3 ns |
Тип ТРВ | N-Channel | 2 N-Channel (Dual) | N-Channel |
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs | 9.3m Ω @ 20A, 10V | 7.3m Ω @ 10A, 10V | 20m Ω @ 8A, 10V |
Втс(th) (Макс) @ Id | 3V @ 250μA | 2.1V @ 250μA | 2.4V @ 250μA |
Без галогенов | Halogen Free | Halogen Free | - |
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds | 1231pF @ 20V | 970pF @ 15V | 1060pF @ 20V |
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs | 24nC @ 10V | 9.3nC @ 4.5V | 19.1nC @ 10V |
Время подъема | 56.4ns | - | 7.1ns |
Напряжение стока-исток (Vdss) | 40V | 30V | - |
Угол настройки (макс.) | ±20V | - | ±20V |
Время падения (тип) | 6.6 ns | - | 4.8 ns |
Непрерывный ток стока (ID) | 14A | 13.7A | 8A |
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs) | 20V | 20V | 20V |
Максимальный импульсный ток вывода | 276A | - | - |
Минимальная напряжённость разрушения | 40V | - | - |
Рейтинг энергии лавины (Eas) | 48 mJ | - | - |
Корпусировка на излучение | No | No | - |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free | - |
Максимальная потеря мощности | - | 1.15W | - |
Мощность - Макс | - | 1.09W 1.15W | - |
Максимальный сливовой ток (ID) | - | 27.4A | - |
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток) | - | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - |
Характеристика ТРП | - | Standard | - |
Монтаж | - | - | Surface Mount |
Конечная обработка контакта | - | - | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) |
Каналов количество | - | - | 1 |
Напряжение пробоя стока к истоку | - | - | 40V |
Высота | - | - | 580μm |
Длина | - | - | 2.05mm |
Ширина | - | - | 2.05mm |
Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | DMN4020LFDE-7 | Diodes Incorporated | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 6-UDFN Exposed Pad | MOSFET N-CH 40V 6-UDFN | Для сравнения |
 | NTMFS5834NLT1G | ON Semiconductor | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-PowerTDFN, 5 Leads | MOSFET N-CH 40V 13A SO-8FL | Для сравнения |
 | NVMFD5853NLT1G | ON Semiconductor | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | 8-PowerTDFN | MOSFET NFET SO8FL 40V 29A 10MOHM | Для сравнения |
 | NTMFD4C20NT1G | ON Semiconductor | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | 8-PowerTDFN | MOSFET NFET SO8FL 30V 27A 3.4MOH | Для сравнения |