Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
NTMFD4C20NT1G Альтернативные части: NTMFS4851NT1G ,DMG4468LFG-7
NTMFD4C20NT1GON Semiconductor
В наличии: 3
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
280.159560 ₽
280.22 ₽
10
264.301470 ₽
2,642.99 ₽
100
249.341044 ₽
24,934.07 ₽
500
235.227335 ₽
117,613.74 ₽
1000
221.912569 ₽
221,912.64 ₽
Цена за единицу: 280.159560 ₽
Итоговая цена: 280.22 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | MOSFET NFET SO8FL 30V 27A 3.4MOH | MOSFET N-CH 30V 9.5A SO-8FL | Trans MOSFET N-CH 30V 7.62A 8-Pin DFN EP T/R |
Состояние жизненного цикла | ACTIVE (Last Updated: 2 days ago) | LIFETIME (Last Updated: 1 week ago) | - |
Срок поставки от производителя | 24 Weeks | 34 Weeks | 6 Weeks |
Покрытие контактов | Tin | - | - |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | 8-PowerTDFN | 8-PowerTDFN, 5 Leads | 8-PowerUDFN |
Поверхностный монтаж | YES | YES | - |
Количество контактов | 8 | 5 | 8 |
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C | 9.1A 13.7A | 9.5A Ta 66A Tc | 7.62A Ta |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2013 | 2009 | 2009 |
Код JESD-609 | e3 | e3 | e4 |
Безоловая кодировка | yes | yes | yes |
Состояние изделия | Active | Obsolete | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
Максимальная потеря мощности | 1.15W | - | - |
Число контактов | 8 | 5 | 8 |
Конфигурация элемента | Dual | Single | - |
Мощность - Макс | 1.09W 1.15W | - | - |
Тип ТРВ | 2 N-Channel (Dual) | N-Channel | N-Channel |
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs | 7.3m Ω @ 10A, 10V | 5.9m Ω @ 30A, 10V | 15m Ω @ 11.6A, 10V |
Втс(th) (Макс) @ Id | 2.1V @ 250μA | 2.5V @ 250μA | 2V @ 250μA |
Без галогенов | Halogen Free | - | - |
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds | 970pF @ 15V | 1850pF @ 12V | 867pF @ 10V |
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs | 9.3nC @ 4.5V | 20nC @ 4.5V | 18.85nC @ 10V |
Напряжение стока-исток (Vdss) | 30V | - | 30V |
Непрерывный ток стока (ID) | 13.7A | 15A | 7.62A |
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs) | 20V | 16V | 20V |
Максимальный сливовой ток (ID) | 27.4A | 100A | - |
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток) | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | - |
Характеристика ТРП | Standard | - | - |
Корпусировка на излучение | No | No | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | RoHS Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free | - |
Материал элемента транзистора | - | SILICON | SILICON |
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On) | - | 4.5V 11.5V | 4.5V 10V |
Количество элементов | - | 1 | 1 |
Максимальная мощность рассеяния | - | 870mW Ta 41.7W Tc | 990mW Ta |
Время отключения | - | 18.6 ns | 18.84 ns |
Количество выводов | - | 5 | 5 |
Конечная обработка контакта | - | Tin (Sn) | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) |
Положение терминала | - | DUAL | DUAL |
Форма вывода | - | FLAT | - |
Режим работы | - | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
Распад мощности | - | 2.16W | - |
Сокетная связка | - | DRAIN | DRAIN |
Время задержки включения | - | 14.4 ns | 5.46 ns |
Применение транзистора | - | SWITCHING | SWITCHING |
Время подъема | - | 39.8ns | 14.53ns |
Угол настройки (макс.) | - | ±16V | ±20V |
Время падения (тип) | - | 5.2 ns | 6.01 ns |
Сопротивление открытого канала-макс | - | 0.0087Ohm | - |
Напряжение пробоя стока к истоку | - | 30V | - |
Монтаж | - | - | Surface Mount |
Температура пайки (пиковая) (°C) | - | - | 260 |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | - | - | 40 |
Код JESD-30 | - | - | R-PDSO-N5 |
Конфигурация | - | - | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
Каналов количество | - | - | 1 |
Минимальная напряжённость разрушения | - | - | 30V |
REACH SVHC | - | - | No SVHC |
Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | NTMFD4902NFT3G | ON Semiconductor | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | 8-PowerTDFN | MOSFET 2N-CH 30V 8DFN | Для сравнения |
| NTMFD4902NFT1G | ON Semiconductor | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | 8-PowerTDFN | MOSFET NFET SO8FL 30V 10.8A 7MO | Для сравнения |
 | NTMFS4851NT1G | ON Semiconductor | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-PowerTDFN, 5 Leads | MOSFET N-CH 30V 9.5A SO-8FL | Для сравнения |
 | DMG4468LFG-7 | Diodes Incorporated | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-PowerUDFN | Trans MOSFET N-CH 30V 7.62A 8-Pin DFN EP T/R | Для сравнения |