Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
NTMFD4C20NT1G Альтернативные части: NTMFD4902NFT3G
NTMFD4C20NT1GON Semiconductor
В наличии: 3
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
280.159560 ₽
280.22 ₽
10
264.301470 ₽
2,642.99 ₽
100
249.341044 ₽
24,934.07 ₽
500
235.227335 ₽
117,613.74 ₽
1000
221.912569 ₽
221,912.64 ₽
Цена за единицу: 280.159560 ₽
Итоговая цена: 280.22 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | MOSFET NFET SO8FL 30V 27A 3.4MOH | MOSFET 2N-CH 30V 8DFN |
Состояние жизненного цикла | ACTIVE (Last Updated: 2 days ago) | - |
Срок поставки от производителя | 24 Weeks | 7 Weeks |
Покрытие контактов | Tin | Tin |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | 8-PowerTDFN | 8-PowerTDFN |
Поверхностный монтаж | YES | - |
Количество контактов | 8 | 8 |
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C | 9.1A 13.7A | 10.3A 13.3A |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2013 | 2012 |
Код JESD-609 | e3 | e3 |
Безоловая кодировка | yes | - |
Состояние изделия | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 |
Максимальная потеря мощности | 1.15W | 1.16W |
Число контактов | 8 | 10 |
Конфигурация элемента | Dual | - |
Мощность - Макс | 1.09W 1.15W | 1.1W 1.16W |
Тип ТРВ | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual), Schottky |
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs | 7.3m Ω @ 10A, 10V | 6.5m Ω @ 10A, 10V |
Втс(th) (Макс) @ Id | 2.1V @ 250μA | 2.2V @ 250μA |
Без галогенов | Halogen Free | - |
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds | 970pF @ 15V | 1150pF @ 15V |
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs | 9.3nC @ 4.5V | 9.7nC @ 4.5V |
Напряжение стока-исток (Vdss) | 30V | 30V |
Непрерывный ток стока (ID) | 13.7A | 13.3A |
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs) | 20V | 20V |
Максимальный сливовой ток (ID) | 27.4A | 13.5A |
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток) | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
Характеристика ТРП | Standard | Logic Level Gate |
Корпусировка на излучение | No | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free |
Монтаж | - | Surface Mount |
Материал элемента транзистора | - | SILICON |
Количество элементов | - | 2 |
Количество выводов | - | 8 |
Форма вывода | - | FLAT |
Конфигурация | - | SERIES, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
Режим работы | - | ENHANCEMENT MODE |
Сокетная связка | - | DRAIN SOURCE |
Применение транзистора | - | SWITCHING |
Сопротивление открытого канала-макс | - | 0.01Ohm |
Максимальный импульсный ток вывода | - | 60A |
Минимальная напряжённость разрушения | - | 30V |
Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | NTMFD4902NFT3G | ON Semiconductor | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | 8-PowerTDFN | MOSFET 2N-CH 30V 8DFN | Для сравнения |
| NTMFD4902NFT1G | ON Semiconductor | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | 8-PowerTDFN | MOSFET NFET SO8FL 30V 10.8A 7MO | Для сравнения |
 | NTMFS4851NT1G | ON Semiconductor | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-PowerTDFN, 5 Leads | MOSFET N-CH 30V 9.5A SO-8FL | Для сравнения |
 | DMG4468LFG-7 | Diodes Incorporated | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-PowerUDFN | Trans MOSFET N-CH 30V 7.62A 8-Pin DFN EP T/R | Для сравнения |