NTMFD4C20NT1G Альтернативные части: NTMFD4902NFT3G ,NTMFD4902NFT1G

NTMFD4C20NT1GON Semiconductor

В наличии: 3

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
280.159560 ₽
280.22 ₽
10
264.301470 ₽
2,642.99 ₽
100
249.341044 ₽
24,934.07 ₽
500
235.227335 ₽
117,613.74 ₽
1000
221.912569 ₽
221,912.64 ₽

Цена за единицу: 280.159560 ₽

Итоговая цена: 280.22 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иNTMFD4C20NT1G	иNTMFD4902NFT3G	иNTMFD4902NFT1G
Производитель:	ON Semiconductor	ON Semiconductor	ON Semiconductor
Описание:	MOSFET NFET SO8FL 30V 27A 3.4MOH	MOSFET 2N-CH 30V 8DFN	MOSFET NFET SO8FL 30V 10.8A 7MO
Состояние жизненного цикла	ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)	-	ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Срок поставки от производителя	24 Weeks	7 Weeks	17 Weeks
Покрытие контактов	Tin	Tin	Tin
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	8-PowerTDFN	8-PowerTDFN	8-PowerTDFN
Поверхностный монтаж	YES	-	YES
Количество контактов	8	8	8
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C	9.1A 13.7A	10.3A 13.3A	10.3A 13.3A
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Опубликовано	2013	2012	2012
Код JESD-609	e3	e3	e3
Безоловая кодировка	yes	-	yes
Состояние изделия	Active	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Код ECCN	EAR99	EAR99	EAR99
Максимальная потеря мощности	1.15W	1.16W	1.16W
Число контактов	8	10	8
Конфигурация элемента	Dual	-	Dual
Мощность - Макс	1.09W 1.15W	1.1W 1.16W	1.1W 1.16W
Тип ТРВ	2 N-Channel (Dual)	2 N-Channel (Dual), Schottky	2 N-Channel (Dual), Schottky
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs	7.3m Ω @ 10A, 10V	6.5m Ω @ 10A, 10V	6.5m Ω @ 10A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id	2.1V @ 250μA	2.2V @ 250μA	2.2V @ 250μA
Без галогенов	Halogen Free	-	-
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds	970pF @ 15V	1150pF @ 15V	1150pF @ 15V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs	9.3nC @ 4.5V	9.7nC @ 4.5V	9.7nC @ 4.5V
Напряжение стока-исток (Vdss)	30V	30V	30V
Непрерывный ток стока (ID)	13.7A	13.3A	13.3A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)	20V	20V	20V
Максимальный сливовой ток (ID)	27.4A	13.5A	13.5A
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Характеристика ТРП	Standard	Logic Level Gate	Logic Level Gate
Корпусировка на излучение	No	No	No
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free	Lead Free
Монтаж	-	Surface Mount	-
Материал элемента транзистора	-	SILICON	SILICON
Количество элементов	-	2	2
Количество выводов	-	8	8
Форма вывода	-	FLAT	FLAT
Конфигурация	-	SERIES, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	-
Режим работы	-	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
Сокетная связка	-	DRAIN SOURCE	DRAIN SOURCE
Применение транзистора	-	SWITCHING	SWITCHING
Сопротивление открытого канала-макс	-	0.01Ohm	0.01Ohm
Максимальный импульсный ток вывода	-	60A	60A
Минимальная напряжённость разрушения	-	30V	30V

Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
NTMFD4902NFT3G	ON Semiconductor	Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы	8-PowerTDFN	MOSFET 2N-CH 30V 8DFN	Для сравнения
NTMFD4902NFT1G	ON Semiconductor	Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы	8-PowerTDFN	MOSFET NFET SO8FL 30V 10.8A 7MO	Для сравнения
NTMFS4851NT1G	ON Semiconductor	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-PowerTDFN, 5 Leads	MOSFET N-CH 30V 9.5A SO-8FL	Для сравнения
DMG4468LFG-7	Diodes Incorporated	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-PowerUDFN	Trans MOSFET N-CH 30V 7.62A 8-Pin DFN EP T/R	Для сравнения