NSVMUN5333DW1T1G Альтернативные части: MUN5213DW1T3G ,MUN5314DW1T1G

NSVMUN5333DW1T1GON Semiconductor

В наличии: 15493

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
51.857143 ₽
51.92 ₽
10
48.921827 ₽
489.29 ₽
100
46.152679 ₽
4,615.25 ₽
500
43.540261 ₽
21,770.19 ₽
1000
41.075714 ₽
41,075.69 ₽

Цена за единицу: 51.857143 ₽

Итоговая цена: 51.92 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иNSVMUN5333DW1T1G	иMUN5213DW1T3G	иMUN5314DW1T1G
Производитель:	ON Semiconductor	ON Semiconductor	ON Semiconductor
Описание:	Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 6-Pin SOT-363 T/R	Dual NPN Bipolar Digital Transistor (BRT)	TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363
Состояние жизненного цикла	ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)	ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)	ACTIVE (Last Updated: 12 hours ago)
Срок поставки от производителя	8 Weeks	8 Weeks	8 Weeks
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Поверхностный монтаж	YES	YES	YES
Количество контактов	6	6	6
Вес	6.010099mg	-	-
Диэлектрический пробой напряжение	50V	50V	50V
Количество элементов	2	2	2
Минимальная частота работы в герцах	80	80	80
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Опубликовано	2013	2012	2005
Код JESD-609	e3	e3	e3
Безоловая кодировка	yes	yes	yes
Состояние изделия	Active	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Код ECCN	EAR99	EAR99	EAR99
Конечная обработка контакта	Tin (Sn)	Tin (Sn)	-
Максимальная рабочая температура	150°C	150°C	150°C
Минимальная температура работы	-55°C	-55°C	-55°C
Максимальная потеря мощности	250mW	250mW	250mW
Основной номер части	MUN53**DW1	MUN52**DW1T	MUN53**DW1
Число контактов	6	6	6
Направленность	NPN, PNP	NPN	NPN, PNP
Каналов количество	2	-	-
Конфигурация элемента	Dual	Dual	Dual
Тип транзистора	1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)	2 NPN - Pre-Biased (Dual)	1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	50V	50V	50V
Максимальный ток сбора	100mA	100mA	100mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce	80 @ 5mA 10V	80 @ 5mA 10V	80 @ 5mA 10V
Ток - отсечка коллектора (макс)	500nA	500nA	500nA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic	250mV @ 1mA, 10mA	250mV @ 300μA, 10mA	250mV @ 300μA, 10mA
База (R1)	4.7k Ω	47k Ω	10k Ω
Прямоходящий ток коллектора	100mA	-	100mA
Резистор - Эмиттер-База (R2)	47k Ω	47k Ω	47k Ω
Корпусировка на излучение	No	-	No
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free	Lead Free
Количество выводов	-	6	6
Дополнительная Характеристика	-	BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO 4.7
Форма вывода	-	GULL WING	GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)	-	NOT SPECIFIED	260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	-	NOT SPECIFIED	40
Распад мощности	-	256mW	187mW
Применение транзистора	-	SWITCHING	SWITCHING
Без галогенов	-	Halogen Free	-
Покрытие контактов	-	-	Tin
Ток постоянного напряжения - номинальный	-	-	50V
Моментальный ток	-	-	100mA
Максимальный выходной ток	-	-	100mA
Входной напряжение питания	-	-	50V
Максимальное напряжение разрушения	-	-	50V
Высота	-	-	900μm
Длина	-	-	2mm
Ширина	-	-	1.25mm
REACH SVHC	-	-	No SVHC

Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
MUN5134DW1T1G	ON Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363	Для сравнения
MUN5213DW1T3G	ON Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	Dual NPN Bipolar Digital Transistor (BRT)	Для сравнения
MUN5314DW1T1G	ON Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363	Для сравнения