Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
NSVMUN5333DW1T1G Альтернативные части: MUN5213DW1T3G
NSVMUN5333DW1T1GON Semiconductor
В наличии: 15493
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
51.857143 ₽
51.92 ₽
10
48.921827 ₽
489.29 ₽
100
46.152679 ₽
4,615.25 ₽
500
43.540261 ₽
21,770.19 ₽
1000
41.075714 ₽
41,075.69 ₽
Цена за единицу: 51.857143 ₽
Итоговая цена: 51.92 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 6-Pin SOT-363 T/R | Dual NPN Bipolar Digital Transistor (BRT) |
Состояние жизненного цикла | ACTIVE (Last Updated: 2 days ago) | ACTIVE (Last Updated: 3 days ago) |
Срок поставки от производителя | 8 Weeks | 8 Weeks |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Поверхностный монтаж | YES | YES |
Количество контактов | 6 | 6 |
Вес | 6.010099mg | - |
Диэлектрический пробой напряжение | 50V | 50V |
Количество элементов | 2 | 2 |
Минимальная частота работы в герцах | 80 | 80 |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2013 | 2012 |
Код JESD-609 | e3 | e3 |
Безоловая кодировка | yes | yes |
Состояние изделия | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 |
Конечная обработка контакта | Tin (Sn) | Tin (Sn) |
Максимальная рабочая температура | 150°C | 150°C |
Минимальная температура работы | -55°C | -55°C |
Максимальная потеря мощности | 250mW | 250mW |
Основной номер части | MUN53**DW1 | MUN52**DW1T |
Число контактов | 6 | 6 |
Направленность | NPN, PNP | NPN |
Каналов количество | 2 | - |
Конфигурация элемента | Dual | Dual |
Тип транзистора | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 50V | 50V |
Максимальный ток сбора | 100mA | 100mA |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 80 @ 5mA 10V | 80 @ 5mA 10V |
Ток - отсечка коллектора (макс) | 500nA | 500nA |
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic | 250mV @ 1mA, 10mA | 250mV @ 300μA, 10mA |
База (R1) | 4.7k Ω | 47k Ω |
Прямоходящий ток коллектора | 100mA | - |
Резистор - Эмиттер-База (R2) | 47k Ω | 47k Ω |
Корпусировка на излучение | No | - |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free |
Количество выводов | - | 6 |
Дополнительная Характеристика | - | BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1 |
Форма вывода | - | GULL WING |
Температура пайки (пиковая) (°C) | - | NOT SPECIFIED |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | - | NOT SPECIFIED |
Распад мощности | - | 256mW |
Применение транзистора | - | SWITCHING |
Без галогенов | - | Halogen Free |
Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | MUN5134DW1T1G | ON Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363 | Для сравнения |
| MUN5213DW1T3G | ON Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | Dual NPN Bipolar Digital Transistor (BRT) | Для сравнения |
| MUN5314DW1T1G | ON Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363 | Для сравнения |