NSV40200UW6T1G Альтернативные части: ZDT6790TA ,DSS5240T-7

NSV40200UW6T1GON Semiconductor

  • NSV40200UW6T1GON Semiconductor
  • ZDT6790TADiodes Incorporated
  • DSS5240T-7Diodes Incorporated

В наличии: 3000

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    81.553297 ₽

    81.59 ₽

  • 10

    76.937088 ₽

    769.37 ₽

  • 100

    72.582143 ₽

    7,258.24 ₽

  • 500

    68.473681 ₽

    34,236.81 ₽

  • 1000

    64.597885 ₽

    64,597.94 ₽

Цена за единицу: 81.553297 ₽

Итоговая цена: 81.59 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
Trans GP BJT PNP 40V 2A Automotive 6-Pin WDFN EP T/R
TRANS NPN/PNP 45V/40V 2A SM8
TRANS PNP 40V 2A SOT-23
Состояние жизненного цикла
ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
-
-
Срок поставки от производителя
8 Weeks
15 Weeks
15 Weeks
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
6-WDFN Exposed Pad
8-SMD, Gull Wing
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Количество контактов
6
8
3
Диэлектрический пробой напряжение
40V
40V
40V
Максимальный коллекторный ток (Ic)
2A
-
-
Количество элементов
1
2
1
Рабочая температура
-55°C~150°C TJ
-55°C~150°C TJ
-55°C~150°C TJ
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2006
2006
2008
Код JESD-609
e3
e3
e3
Безоловая кодировка
yes
no
yes
Состояние изделия
Active
Active
Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Код ECCN
EAR99
EAR99
EAR99
Конечная обработка контакта
Tin (Sn)
Matte Tin (Sn)
-
Максимальная потеря мощности
875mW
2.75W
600mW
Температура пайки (пиковая) (°C)
NOT SPECIFIED
260
260
Частота
140MHz
150MHz
100MHz
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
NOT SPECIFIED
40
40
Распад мощности
3W
2.75W
730mW
Тип транзистора
PNP
NPN, PNP
PNP
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
40V
500mV
40V
Максимальный ток сбора
2A
2A
2A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
150 @ 1A 2V
400 @ 1A 2V / 300 @ 10mA 2V
210 @ 1A 2V
Ток - отсечка коллектора (макс)
100nA ICBO
100nA ICBO
100nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
300mV @ 20mA, 2A
500mV @ 5mA, 1A / 750mV @ 50mA, 2A
350mV @ 200mA, 2A
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
40V
45V
40V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
7V
5V
5V
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Lead Free
Материал элемента транзистора
-
SILICON
SILICON
Время отключения
-
1.3 μs
-
Минимальная частота работы в герцах
-
150
300
Количество выводов
-
8
3
Моментальный ток
-
2A
-
Основной номер части
-
ZDT6790
DSS5240
Число контактов
-
8
3
Направленность
-
NPN, PNP
-
Конфигурация элемента
-
Dual
Single
Время задержки включения
-
33 ns
-
Применение транзистора
-
SWITCHING
SWITCHING
Продуктивность полосы частот
-
150MHz
100MHz
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)
-
45V 40V
-
Частота перехода
-
150MHz
100MHz
Максимальное напряжение разрушения
-
40V
40V
Частота - Переход
-
150MHz 100MHz
-
Прямоходящий ток коллектора
-
2A
-
Высота
-
1.6mm
1mm
Длина
-
6.7mm
2.9mm
Ширина
-
3.7mm
1.3mm
REACH SVHC
-
No SVHC
No SVHC
Корпусировка на излучение
-
No
No
Покрытие контактов
-
-
Tin
Вес
-
-
7.994566mg
Завершение
-
-
SMD/SMT
Положение терминала
-
-
DUAL
Форма вывода
-
-
GULL WING
Мощность - Макс
-
-
600mW
Полярность/Тип канала
-
-
PNP