NSV40200UW6T1GON Semiconductor
В наличии: 3000
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
81.553297 ₽
81.59 ₽
10
76.937088 ₽
769.37 ₽
100
72.582143 ₽
7,258.24 ₽
500
68.473681 ₽
34,236.81 ₽
1000
64.597885 ₽
64,597.94 ₽
Цена за единицу: 81.553297 ₽
Итоговая цена: 81.59 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | Trans GP BJT PNP 40V 2A Automotive 6-Pin WDFN EP T/R | TRANS PNP 40V 2A SOT-23 |
Состояние жизненного цикла | ACTIVE (Last Updated: 6 days ago) | - |
Срок поставки от производителя | 8 Weeks | 15 Weeks |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | 6-WDFN Exposed Pad | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Количество контактов | 6 | 3 |
Диэлектрический пробой напряжение | 40V | 40V |
Максимальный коллекторный ток (Ic) | 2A | - |
Количество элементов | 1 | 1 |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2006 | 2008 |
Код JESD-609 | e3 | e3 |
Безоловая кодировка | yes | yes |
Состояние изделия | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 |
Конечная обработка контакта | Tin (Sn) | - |
Максимальная потеря мощности | 875mW | 600mW |
Температура пайки (пиковая) (°C) | NOT SPECIFIED | 260 |
Частота | 140MHz | 100MHz |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | NOT SPECIFIED | 40 |
Распад мощности | 3W | 730mW |
Тип транзистора | PNP | PNP |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 40V | 40V |
Максимальный ток сбора | 2A | 2A |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 150 @ 1A 2V | 210 @ 1A 2V |
Ток - отсечка коллектора (макс) | 100nA ICBO | 100nA ICBO |
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic | 300mV @ 20mA, 2A | 350mV @ 200mA, 2A |
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО) | 40V | 40V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 7V | 5V |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free |
Покрытие контактов | - | Tin |
Вес | - | 7.994566mg |
Материал элемента транзистора | - | SILICON |
Минимальная частота работы в герцах | - | 300 |
Количество выводов | - | 3 |
Завершение | - | SMD/SMT |
Положение терминала | - | DUAL |
Форма вывода | - | GULL WING |
Основной номер части | - | DSS5240 |
Число контактов | - | 3 |
Конфигурация элемента | - | Single |
Мощность - Макс | - | 600mW |
Применение транзистора | - | SWITCHING |
Продуктивность полосы частот | - | 100MHz |
Полярность/Тип канала | - | PNP |
Частота перехода | - | 100MHz |
Максимальное напряжение разрушения | - | 40V |
Высота | - | 1mm |
Длина | - | 2.9mm |
Ширина | - | 1.3mm |
REACH SVHC | - | No SVHC |
Корпусировка на излучение | - | No |