NSV40200UW6T1G Альтернативные части: DSS5240T-7 ,FCX790ATA

NSV40200UW6T1GON Semiconductor

  • NSV40200UW6T1GON Semiconductor
  • DSS5240T-7Diodes Incorporated
  • FCX790ATADiodes Incorporated

В наличии: 3000

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    81.553297 ₽

    81.59 ₽

  • 10

    76.937088 ₽

    769.37 ₽

  • 100

    72.582143 ₽

    7,258.24 ₽

  • 500

    68.473681 ₽

    34,236.81 ₽

  • 1000

    64.597885 ₽

    64,597.94 ₽

Цена за единицу: 81.553297 ₽

Итоговая цена: 81.59 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
Trans GP BJT PNP 40V 2A Automotive 6-Pin WDFN EP T/R
TRANS PNP 40V 2A SOT-23
TRANS PNP 40V 2A SOT89
Состояние жизненного цикла
ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
-
-
Срок поставки от производителя
8 Weeks
15 Weeks
15 Weeks
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
6-WDFN Exposed Pad
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-243AA
Количество контактов
6
3
4
Диэлектрический пробой напряжение
40V
40V
40V
Максимальный коллекторный ток (Ic)
2A
-
-
Количество элементов
1
1
1
Рабочая температура
-55°C~150°C TJ
-55°C~150°C TJ
-55°C~150°C TJ
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2006
2008
2006
Код JESD-609
e3
e3
e3
Безоловая кодировка
yes
yes
no
Состояние изделия
Active
Active
Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Код ECCN
EAR99
EAR99
EAR99
Конечная обработка контакта
Tin (Sn)
-
Matte Tin (Sn)
Максимальная потеря мощности
875mW
600mW
2W
Температура пайки (пиковая) (°C)
NOT SPECIFIED
260
260
Частота
140MHz
100MHz
100MHz
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
NOT SPECIFIED
40
40
Распад мощности
3W
730mW
2W
Тип транзистора
PNP
PNP
PNP
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
40V
40V
40V
Максимальный ток сбора
2A
2A
2A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
150 @ 1A 2V
210 @ 1A 2V
300 @ 10mA 2V
Ток - отсечка коллектора (макс)
100nA ICBO
100nA ICBO
100nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
300mV @ 20mA, 2A
350mV @ 200mA, 2A
450mV @ 50mA, 2A
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
40V
40V
50V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
7V
5V
5V
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Lead Free
Покрытие контактов
-
Tin
-
Вес
-
7.994566mg
51.993025mg
Материал элемента транзистора
-
SILICON
SILICON
Минимальная частота работы в герцах
-
300
-
Количество выводов
-
3
3
Завершение
-
SMD/SMT
-
Положение терминала
-
DUAL
-
Форма вывода
-
GULL WING
FLAT
Основной номер части
-
DSS5240
FCX790A
Число контактов
-
3
-
Конфигурация элемента
-
Single
Single
Мощность - Макс
-
600mW
-
Применение транзистора
-
SWITCHING
SWITCHING
Продуктивность полосы частот
-
100MHz
100MHz
Полярность/Тип канала
-
PNP
PNP
Частота перехода
-
100MHz
100MHz
Максимальное напряжение разрушения
-
40V
40V
Высота
-
1mm
1.5mm
Длина
-
2.9mm
4.5mm
Ширина
-
1.3mm
2.5mm
REACH SVHC
-
No SVHC
No SVHC
Корпусировка на излучение
-
No
No
Ток постоянного напряжения - номинальный
-
-
-40V
Моментальный ток
-
-
-2A
Код JESD-30
-
-
R-PSSO-F3
Сокетная связка
-
-
COLLECTOR
Прямоходящий ток коллектора
-
-
-2A