NJT4030PT3G Альтернативные части: FZT790A ,DJT4030P-13

NJT4030PT3GON Semiconductor

В наличии: 3262

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
26.593407 ₽
26.65 ₽
10
25.088118 ₽
250.82 ₽
100
23.668036 ₽
2,366.76 ₽
500
22.328338 ₽
11,164.15 ₽
1000
21.064464 ₽
21,064.42 ₽

Цена за единицу: 26.593407 ₽

Итоговая цена: 26.65 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иNJT4030PT3G	иFZT790A	иDJT4030P-13
Производитель:	ON Semiconductor	ON Semiconductor	Diodes Incorporated
Описание:	ON Semi NJT4030PT3G PNP Bipolar Transistor; 3 A; 40 V SOT-223	TRANS PNP 40V 3A SOT223	DIODES INC. DJT4030P-13 Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 40 V, 150 MHz, 1.2 W, 500 mA, 220 hFE
Состояние жизненного цикла	ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)	ACTIVE (Last Updated: 14 hours ago)	-
Срок поставки от производителя	8 Weeks	10 Weeks	14 Weeks
Покрытие контактов	Tin	Tin	-
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	TO-261-4, TO-261AA	TO-261-4, TO-261AA	TO-261-4, TO-261AA
Количество контактов	4	3	3
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON	SILICON
Диэлектрический пробой напряжение	40V	40V	40V
Количество элементов	1	1	1
Минимальная частота работы в герцах	220	300	220
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Опубликовано	2007	2002	2009
Код JESD-609	e3	e3	e3
Безоловая кодировка	yes	yes	yes
Состояние изделия	Active	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	4	4	4
Код ECCN	EAR99	EAR99	EAR99
Максимальная потеря мощности	2W	2W	1.2W
Положение терминала	DUAL	DUAL	DUAL
Форма вывода	GULL WING	GULL WING	GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)	260	-	260
Частота	160MHz	100MHz	150MHz
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	40	-	40
Основной номер части	NJT4030	FZT790A	-
Число контактов	4	-	4
Конфигурация элемента	Single	Single	Single
Распад мощности	2W	2W	1.2W
Сокетная связка	COLLECTOR	COLLECTOR	COLLECTOR
Применение транзистора	AMPLIFIER	-	SWITCHING
Продуктивность полосы частот	160MHz	100MHz	150MHz
Полярность/Тип канала	PNP	PNP	PNP
Тип транзистора	PNP	PNP	PNP
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	40V	40V	40V
Максимальный ток сбора	3A	3A	3A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce	200 @ 1A 1V	300 @ 10mA 2V	200 @ 1A 1V
Ток - отсечка коллектора (макс)	100nA ICBO	100nA ICBO	100nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic	500mV @ 300mA, 3A	750mV @ 50mA, 2A	500mV @ 300mA, 3A
Частота перехода	160MHz	100MHz	150MHz
Максимальное напряжение разрушения	40V	40V	40V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)	40V	-50V	40V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	6V	-5V	-6V
Высота	1.65mm	1.6mm	1.6mm
Длина	6.7mm	6.5mm	6.5mm
Ширина	3.7mm	3.5mm	3.5mm
REACH SVHC	No SVHC	No SVHC	No SVHC
Корпусировка на излучение	No	No	No
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free	Lead Free
Вес	-	188mg	7.994566mg
Ток постоянного напряжения - номинальный	-	40V	-
Моментальный ток	-	3A	-
Код JESD-30	-	R-PDSO-G4	R-PDSO-G4
Завершение	-	-	SMD/SMT
Конечная обработка контакта	-	-	Matte Tin (Sn)
Прямоходящий ток коллектора	-	-	-3A

Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
DJT4030P-13	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-261-4, TO-261AA	DIODES INC. DJT4030P-13 Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 40 V, 150 MHz, 1.2 W, 500 mA, 220 hFE	Для сравнения
BCP5116TA	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-261-4, TO-261AA	TRANS PNP 45V 1A SOT223	Для сравнения
DMJT9435-13	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-261-4, TO-261AA	TRANS PNP 30V 3A SOT-223	Для сравнения
FZT790A	ON Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-261-4, TO-261AA	TRANS PNP 40V 3A SOT223	Для сравнения