NJT4030PT3G Альтернативные части: BCP5116TA

NJT4030PT3GON Semiconductor

В наличии: 3262

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
26.593407 ₽
26.65 ₽
10
25.088118 ₽
250.82 ₽
100
23.668036 ₽
2,366.76 ₽
500
22.328338 ₽
11,164.15 ₽
1000
21.064464 ₽
21,064.42 ₽

Цена за единицу: 26.593407 ₽

Итоговая цена: 26.65 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иNJT4030PT3G	иBCP5116TA
Производитель:	ON Semiconductor	Diodes Incorporated
Описание:	ON Semi NJT4030PT3G PNP Bipolar Transistor; 3 A; 40 V SOT-223	TRANS PNP 45V 1A SOT223
Состояние жизненного цикла	ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)	-
Срок поставки от производителя	8 Weeks	15 Weeks
Покрытие контактов	Tin	-
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	TO-261-4, TO-261AA	TO-261-4, TO-261AA
Количество контактов	4	4
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON
Диэлектрический пробой напряжение	40V	45V
Количество элементов	1	1
Минимальная частота работы в герцах	220	100
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-65°C~150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Опубликовано	2007	2011
Код JESD-609	e3	e3
Безоловая кодировка	yes	yes
Состояние изделия	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	4	4
Код ECCN	EAR99	EAR99
Максимальная потеря мощности	2W	2W
Положение терминала	DUAL	DUAL
Форма вывода	GULL WING	GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)	260	260
Частота	160MHz	150MHz
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	40	40
Основной номер части	NJT4030	BCP51
Число контактов	4	4
Конфигурация элемента	Single	Single
Распад мощности	2W	2W
Сокетная связка	COLLECTOR	COLLECTOR
Применение транзистора	AMPLIFIER	SWITCHING
Продуктивность полосы частот	160MHz	150MHz
Полярность/Тип канала	PNP	PNP
Тип транзистора	PNP	PNP
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	40V	45V
Максимальный ток сбора	3A	1A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce	200 @ 1A 1V	100 @ 150mA 2V
Ток - отсечка коллектора (макс)	100nA ICBO	100nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic	500mV @ 300mA, 3A	500mV @ 50mA, 500mA
Частота перехода	160MHz	150MHz
Максимальное напряжение разрушения	40V	45V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)	40V	45V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	6V	5V
Высота	1.65mm	1.65mm
Длина	6.7mm	6.55mm
Ширина	3.7mm	3.55mm
REACH SVHC	No SVHC	No SVHC
Корпусировка на излучение	No	No
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free
Вес	-	7.994566mg
Конечная обработка контакта	-	Matte Tin (Sn)
Дополнительная Характеристика	-	HIGH RELIABILITY

Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
DJT4030P-13	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-261-4, TO-261AA	DIODES INC. DJT4030P-13 Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 40 V, 150 MHz, 1.2 W, 500 mA, 220 hFE	Для сравнения
BCP5116TA	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-261-4, TO-261AA	TRANS PNP 45V 1A SOT223	Для сравнения
DMJT9435-13	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-261-4, TO-261AA	TRANS PNP 30V 3A SOT-223	Для сравнения
FZT790A	ON Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-261-4, TO-261AA	TRANS PNP 40V 3A SOT223	Для сравнения