NJT4030PT3GON Semiconductor
В наличии: 3262
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
26.593407 ₽
26.65 ₽
10
25.088118 ₽
250.82 ₽
100
23.668036 ₽
2,366.76 ₽
500
22.328338 ₽
11,164.15 ₽
1000
21.064464 ₽
21,064.42 ₽
Цена за единицу: 26.593407 ₽
Итоговая цена: 26.65 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | ON Semi NJT4030PT3G PNP Bipolar Transistor; 3 A; 40 V SOT-223 | TRANS PNP 45V 1A SOT223 | TRANS PNP 30V 3A SOT-223 |
Состояние жизненного цикла | ACTIVE (Last Updated: 3 days ago) | - | - |
Срок поставки от производителя | 8 Weeks | 15 Weeks | 24 Weeks |
Покрытие контактов | Tin | - | - |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | TO-261-4, TO-261AA | TO-261-4, TO-261AA | TO-261-4, TO-261AA |
Количество контактов | 4 | 4 | 3 |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON | SILICON |
Диэлектрический пробой напряжение | 40V | 45V | 30V |
Количество элементов | 1 | 1 | 1 |
Минимальная частота работы в герцах | 220 | 100 | - |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -65°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2007 | 2011 | 2001 |
Код JESD-609 | e3 | e3 | e3 |
Безоловая кодировка | yes | yes | yes |
Состояние изделия | Active | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 4 | 4 | 4 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
Максимальная потеря мощности | 2W | 2W | 1.2W |
Положение терминала | DUAL | DUAL | DUAL |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING | GULL WING |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | 260 | 260 |
Частота | 160MHz | 150MHz | 160MHz |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 40 | 40 | 40 |
Основной номер части | NJT4030 | BCP51 | - |
Число контактов | 4 | 4 | 4 |
Конфигурация элемента | Single | Single | Single |
Распад мощности | 2W | 2W | 2W |
Сокетная связка | COLLECTOR | COLLECTOR | COLLECTOR |
Применение транзистора | AMPLIFIER | SWITCHING | SWITCHING |
Продуктивность полосы частот | 160MHz | 150MHz | 160MHz |
Полярность/Тип канала | PNP | PNP | PNP |
Тип транзистора | PNP | PNP | PNP |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 40V | 45V | 30V |
Максимальный ток сбора | 3A | 1A | 3A |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 200 @ 1A 1V | 100 @ 150mA 2V | 125 @ 800mA 1V |
Ток - отсечка коллектора (макс) | 100nA ICBO | 100nA ICBO | - |
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic | 500mV @ 300mA, 3A | 500mV @ 50mA, 500mA | 550mV @ 300mA, 3A |
Частота перехода | 160MHz | 150MHz | 160MHz |
Максимальное напряжение разрушения | 40V | 45V | 30V |
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО) | 40V | 45V | 45V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6V | 5V | 6V |
Высота | 1.65mm | 1.65mm | 1.6mm |
Длина | 6.7mm | 6.55mm | 6.5mm |
Ширина | 3.7mm | 3.55mm | 3.5mm |
REACH SVHC | No SVHC | No SVHC | No SVHC |
Корпусировка на излучение | No | No | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free | Lead Free |
Вес | - | 7.994566mg | 7.994566mg |
Конечная обработка контакта | - | Matte Tin (Sn) | Matte Tin (Sn) |
Дополнительная Характеристика | - | HIGH RELIABILITY | - |
Код JESD-30 | - | - | R-PDSO-G4 |
Мощность - Макс | - | - | 1.2W |