Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
NGTB75N65FL2WG Альтернативные части: NGTB50N65FL2WG ,FGH40N65UFDTU-F085
NGTB75N65FL2WGON Semiconductor
В наличии: 60
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
955.612747 ₽
955.63 ₽
10
901.521415 ₽
9,015.25 ₽
100
850.491992 ₽
85,049.18 ₽
500
802.350879 ₽
401,175.41 ₽
1000
756.934808 ₽
756,934.75 ₽
Цена за единицу: 955.612747 ₽
Итоговая цена: 955.63 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | Trans IGBT Chip N-CH 650V 100A 3-Pin TO-247 Tube | Trans IGBT Chip N-CH 650V 100A 3-Pin TO-247 Tube | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 3-Pin TO-247 Tube |
Состояние жизненного цикла | ACTIVE (Last Updated: 2 days ago) | ACTIVE (Last Updated: 1 day ago) | - |
Срок поставки от производителя | 24 Weeks | 18 Weeks | 12 Weeks |
Монтаж | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
Вид крепления | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
Корпус / Кейс | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 |
Количество контактов | 3 | - | 3 |
Диэлектрический пробой напряжение | 650V | 650V | 650V |
Условия испытания | 400V, 75A, 10 Ω, 15V | 400V, 50A, 10 Ω, 15V | 400V, 40A, 10 Ω, 15V |
Рабочая температура | -55°C~175°C TJ | -55°C~175°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tube | Tube | Tube |
Опубликовано | 2014 | 2015 | 2016 |
Код JESD-609 | e3 | e3 | - |
Безоловая кодировка | yes | yes | yes |
Состояние изделия | Active | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 | - |
Конечная обработка контакта | Tin (Sn) | Tin (Sn) | - |
Максимальная потеря мощности | 595W | 417W | 290W |
Конфигурация элемента | Single | Single | Single |
Входной тип | Standard | Standard | Standard |
Мощность - Макс | 595W | 417W | 290W |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 2V | 2V | 2.4V |
Максимальный ток сбора | 100A | 100A | 80A |
Время обратной рекомпенсации | 80 ns | 94 ns | 65 ns |
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 75A | 2V @ 15V, 50A | 2.4V @ 15V, 40A |
Тип ИGBT | Trench Field Stop | Trench Field Stop | Field Stop |
Зарядная мощность | 310nC | 220nC | 119nC |
Ток-эmitter импульсированный (Icm) | 200A | 200A | 120A |
Тд (вкл/выкл) @ 25°C | 110ns/270ns | 100ns/237ns | 23ns/126ns |
Переключаемый энергопотребление | 1.5mJ (on), 1mJ (off) | 1.5mJ (on), 460μJ (off) | 1.28mJ (on), 500μJ (off) |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free | - |
Температура пайки (пиковая) (°C) | - | NOT SPECIFIED | - |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | - | NOT SPECIFIED | - |
Полярность/Тип канала | - | N-CHANNEL | - |
Напряжение затвор-эмиттер (макс.) | - | 20V | - |
Максимальное напряжение на переходе ГЭ | - | 6.5V | - |
Вес | - | - | 6.39g |
Серия | - | - | Automotive, AEC-Q101 |
Транзисторы - IGBT - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | NGTB50N65FL2WG | ON Semiconductor | Транзисторы - IGBT - Одиночные | TO-247-3 | Trans IGBT Chip N-CH 650V 100A 3-Pin TO-247 Tube | Для сравнения |
 | FGH40N65UFDTU-F085 | ON Semiconductor | Транзисторы - IGBT - Одиночные | TO-247-3 | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 3-Pin TO-247 Tube | Для сравнения |
 | IRGP4063D1-EPBF | Infineon Technologies | Транзисторы - IGBT - Одиночные | TO-247-3 | IGBT 600V 100A 330W TO-247AD | Для сравнения |
 | STGW40H65DFB | STMicroelectronics | Транзисторы - IGBT - Одиночные | TO-247-3 | IGBT 650V 80A 283W TO-247 | Для сравнения |