NGTB75N65FL2WG Альтернативные части: IRGP4063D1-EPBF

NGTB75N65FL2WGON Semiconductor

В наличии: 60

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
955.612747 ₽
955.63 ₽
10
901.521415 ₽
9,015.25 ₽
100
850.491992 ₽
85,049.18 ₽
500
802.350879 ₽
401,175.41 ₽
1000
756.934808 ₽
756,934.75 ₽

Цена за единицу: 955.612747 ₽

Итоговая цена: 955.63 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иNGTB75N65FL2WG	иIRGP4063D1-EPBF
Производитель:	ON Semiconductor	Infineon Technologies
Описание:	Trans IGBT Chip N-CH 650V 100A 3-Pin TO-247 Tube	IGBT 600V 100A 330W TO-247AD
Состояние жизненного цикла	ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)	-
Срок поставки от производителя	24 Weeks	-
Монтаж	Through Hole	Through Hole
Вид крепления	Through Hole	Through Hole
Корпус / Кейс	TO-247-3	TO-247-3
Количество контактов	3	3
Диэлектрический пробой напряжение	650V	600V
Условия испытания	400V, 75A, 10 Ω, 15V	400V, 48A, 10 Ω, 15V
Рабочая температура	-55°C~175°C TJ	-40°C~175°C TJ
Пакетирование	Tube	Tube
Опубликовано	2014	2013
Код JESD-609	e3	-
Безоловая кодировка	yes	-
Состояние изделия	Active	Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Код ECCN	EAR99	EAR99
Конечная обработка контакта	Tin (Sn)	-
Максимальная потеря мощности	595W	330W
Конфигурация элемента	Single	Single
Входной тип	Standard	Standard
Мощность - Макс	595W	330W
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	2V	2.14V
Максимальный ток сбора	100A	100A
Время обратной рекомпенсации	80 ns	80 ns
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic	2V @ 15V, 75A	2.14V @ 15V, 48A
Тип ИGBT	Trench Field Stop	-
Зарядная мощность	310nC	150nC
Ток-эmitter импульсированный (Icm)	200A	192A
Тд (вкл/выкл) @ 25°C	110ns/270ns	60ns/160ns
Переключаемый энергопотребление	1.5mJ (on), 1mJ (off)	1.4mJ (on), 1.1mJ (off)
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	RoHS Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free
Основной номер части	-	IRGP4063D
Полярность/Тип канала	-	N-CHANNEL
Напряжение затвор-эмиттер (макс.)	-	20V
Максимальное напряжение на переходе ГЭ	-	6.5V
Высота	-	20.7mm
Длина	-	15.87mm
Ширина	-	5.13mm
Корпусировка на излучение	-	No

Транзисторы - IGBT - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
NGTB50N65FL2WG	ON Semiconductor	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-247-3	Trans IGBT Chip N-CH 650V 100A 3-Pin TO-247 Tube	Для сравнения
FGH40N65UFDTU-F085	ON Semiconductor	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-247-3	Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 3-Pin TO-247 Tube	Для сравнения
IRGP4063D1-EPBF	Infineon Technologies	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-247-3	IGBT 600V 100A 330W TO-247AD	Для сравнения
STGW40H65DFB	STMicroelectronics	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-247-3	IGBT 650V 80A 283W TO-247	Для сравнения