Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
NGTB75N65FL2WG Альтернативные части: IRGP4063D1-EPBF ,STGW40H65DFB
NGTB75N65FL2WGON Semiconductor
В наличии: 60
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
955.612747 ₽
955.63 ₽
10
901.521415 ₽
9,015.25 ₽
100
850.491992 ₽
85,049.18 ₽
500
802.350879 ₽
401,175.41 ₽
1000
756.934808 ₽
756,934.75 ₽
Цена за единицу: 955.612747 ₽
Итоговая цена: 955.63 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | Trans IGBT Chip N-CH 650V 100A 3-Pin TO-247 Tube | IGBT 600V 100A 330W TO-247AD | IGBT 650V 80A 283W TO-247 |
Состояние жизненного цикла | ACTIVE (Last Updated: 2 days ago) | - | ACTIVE (Last Updated: 7 months ago) |
Срок поставки от производителя | 24 Weeks | - | 20 Weeks |
Монтаж | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
Вид крепления | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
Корпус / Кейс | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 |
Количество контактов | 3 | 3 | 3 |
Диэлектрический пробой напряжение | 650V | 600V | 650V |
Условия испытания | 400V, 75A, 10 Ω, 15V | 400V, 48A, 10 Ω, 15V | 400V, 40A, 5 Ω, 15V |
Рабочая температура | -55°C~175°C TJ | -40°C~175°C TJ | -55°C~175°C TJ |
Пакетирование | Tube | Tube | Tube |
Опубликовано | 2014 | 2013 | - |
Код JESD-609 | e3 | - | - |
Безоловая кодировка | yes | - | - |
Состояние изделия | Active | Obsolete | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
Конечная обработка контакта | Tin (Sn) | - | - |
Максимальная потеря мощности | 595W | 330W | 283W |
Конфигурация элемента | Single | Single | Single |
Входной тип | Standard | Standard | Standard |
Мощность - Макс | 595W | 330W | 283W |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 2V | 2.14V | 650V |
Максимальный ток сбора | 100A | 100A | 80A |
Время обратной рекомпенсации | 80 ns | 80 ns | 62 ns |
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 75A | 2.14V @ 15V, 48A | 2V @ 15V, 40A |
Тип ИGBT | Trench Field Stop | - | Trench Field Stop |
Зарядная мощность | 310nC | 150nC | 210nC |
Ток-эmitter импульсированный (Icm) | 200A | 192A | 160A |
Тд (вкл/выкл) @ 25°C | 110ns/270ns | 60ns/160ns | 40ns/142ns |
Переключаемый энергопотребление | 1.5mJ (on), 1mJ (off) | 1.4mJ (on), 1.1mJ (off) | 498μJ (on), 363μJ (off) |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | RoHS Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free | Lead Free |
Основной номер части | - | IRGP4063D | STGW40 |
Полярность/Тип канала | - | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
Напряжение затвор-эмиттер (макс.) | - | 20V | 20V |
Максимальное напряжение на переходе ГЭ | - | 6.5V | - |
Высота | - | 20.7mm | 20.15mm |
Длина | - | 15.87mm | 15.75mm |
Ширина | - | 5.13mm | 5.15mm |
Корпусировка на излучение | - | No | - |
Вес | - | - | 38.000013g |
Температура пайки (пиковая) (°C) | - | - | NOT SPECIFIED |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | - | - | NOT SPECIFIED |
Транзисторы - IGBT - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | NGTB50N65FL2WG | ON Semiconductor | Транзисторы - IGBT - Одиночные | TO-247-3 | Trans IGBT Chip N-CH 650V 100A 3-Pin TO-247 Tube | Для сравнения |
 | FGH40N65UFDTU-F085 | ON Semiconductor | Транзисторы - IGBT - Одиночные | TO-247-3 | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 3-Pin TO-247 Tube | Для сравнения |
 | IRGP4063D1-EPBF | Infineon Technologies | Транзисторы - IGBT - Одиночные | TO-247-3 | IGBT 600V 100A 330W TO-247AD | Для сравнения |
 | STGW40H65DFB | STMicroelectronics | Транзисторы - IGBT - Одиночные | TO-247-3 | IGBT 650V 80A 283W TO-247 | Для сравнения |