NDS8934ON Semiconductor
В наличии: 2500
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
66.838393 ₽
66.90 ₽
10
63.055096 ₽
630.49 ₽
100
59.485934 ₽
5,948.63 ₽
500
56.118832 ₽
28,059.48 ₽
1000
52.942294 ₽
52,942.31 ₽
Цена за единицу: 66.838393 ₽
Итоговая цена: 66.90 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | MOSFET 2P-CH 20V 3.8A 8-SOIC | MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC | MOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
Количество контактов | 8 | 8 | 8 |
Вес | 230.4mg | 230.4mg | - |
Количество элементов | 2 | 2 | 2 |
Время отключения | 60 ns | 260 ns | 51 ns |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Состояние изделия | Obsolete | Obsolete | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Ток постоянного напряжения - номинальный | -20V | -20V | - |
Максимальная потеря мощности | 900mW | 900mW | 2W |
Моментальный ток | -3.8A | -4A | 5.2A |
Конфигурация элемента | Dual | Dual | - |
Распад мощности | 2W | 2W | 2W |
Тип ТРВ | 2 P-Channel (Dual) | 2 P-Channel (Dual) | N and P-Channel |
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs | 70m Ω @ 3.8A, 4.5V | 55m Ω @ 4A, 4.5V | 50m Ω @ 2.6A, 4.5V |
Втс(th) (Макс) @ Id | 1V @ 250μA | 1V @ 250μA | 700mV @ 250μA |
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds | 1120pF @ 10V | 1130pF @ 10V | 660pF @ 15V |
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs | 30nC @ 4.5V | 28nC @ 5V | 20nC @ 4.5V |
Время подъема | 53ns | 23ns | 26ns |
Напряжение стока-исток (Vdss) | 20V | 20V | - |
Время падения (тип) | 30 ns | 90 ns | 33 ns |
Непрерывный ток стока (ID) | 3.8A | -4A | 5.2A |
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs) | 8V | -8V | 12V |
Напряжение пробоя стока к истоку | -20V | -20V | 20V |
Характеристика ТРП | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate |
Состояние RoHS | RoHS Compliant | RoHS Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free | Lead Free |
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C | - | 4A | 5.2A 4.3A |
Опубликовано | - | 1998 | 1997 |
Время задержки включения | - | 8 ns | - |
Высота | - | 1.5mm | 1.4986mm |
Длина | - | 5mm | 4.9784mm |
Ширина | - | 4mm | 3.9878mm |
Срок поставки от производителя | - | - | 12 Weeks |
Материал элемента транзистора | - | - | SILICON |
Серия | - | - | HEXFET® |
Код JESD-609 | - | - | e3 |
Количество выводов | - | - | 8 |
Код ECCN | - | - | EAR99 |
Сопротивление | - | - | 50mOhm |
Конечная обработка контакта | - | - | Matte Tin (Sn) |
Дополнительная Характеристика | - | - | ULTRA LOW RESISTANCE |
Положение терминала | - | - | DUAL |
Форма вывода | - | - | GULL WING |
Основной номер части | - | - | IRF7307PBF |
Режим работы | - | - | ENHANCEMENT MODE |
Применение транзистора | - | - | SWITCHING |
Полярность/Тип канала | - | - | N-CHANNEL AND P-CHANNEL |
Пороговое напряжение | - | - | 700mV |
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток) | - | - | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
Номинальное Vgs | - | - | 700 mV |
REACH SVHC | - | - | No SVHC |
Корпусировка на излучение | - | - | No |