NDS8934 Альтернативные части: IRF7307TRPBF

NDS8934ON Semiconductor

  • NDS8934ON Semiconductor
  • IRF7307TRPBFInfineon Technologies

В наличии: 2500

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    66.838393 ₽

    66.90 ₽

  • 10

    63.055096 ₽

    630.49 ₽

  • 100

    59.485934 ₽

    5,948.63 ₽

  • 500

    56.118832 ₽

    28,059.48 ₽

  • 1000

    52.942294 ₽

    52,942.31 ₽

Цена за единицу: 66.838393 ₽

Итоговая цена: 66.90 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
MOSFET 2P-CH 20V 3.8A 8-SOIC
MOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Количество контактов
8
8
Вес
230.4mg
-
Количество элементов
2
2
Время отключения
60 ns
51 ns
Рабочая температура
-55°C~150°C TJ
-55°C~150°C TJ
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Состояние изделия
Obsolete
Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Ток постоянного напряжения - номинальный
-20V
-
Максимальная потеря мощности
900mW
2W
Моментальный ток
-3.8A
5.2A
Конфигурация элемента
Dual
-
Распад мощности
2W
2W
Тип ТРВ
2 P-Channel (Dual)
N and P-Channel
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs
70m Ω @ 3.8A, 4.5V
50m Ω @ 2.6A, 4.5V
Втс(th) (Макс) @ Id
1V @ 250μA
700mV @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds
1120pF @ 10V
660pF @ 15V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs
30nC @ 4.5V
20nC @ 4.5V
Время подъема
53ns
26ns
Напряжение стока-исток (Vdss)
20V
-
Время падения (тип)
30 ns
33 ns
Непрерывный ток стока (ID)
3.8A
5.2A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)
8V
12V
Напряжение пробоя стока к истоку
-20V
20V
Характеристика ТРП
Logic Level Gate
Logic Level Gate
Состояние RoHS
RoHS Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Срок поставки от производителя
-
12 Weeks
Материал элемента транзистора
-
SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C
-
5.2A 4.3A
Серия
-
HEXFET®
Опубликовано
-
1997
Код JESD-609
-
e3
Количество выводов
-
8
Код ECCN
-
EAR99
Сопротивление
-
50mOhm
Конечная обработка контакта
-
Matte Tin (Sn)
Дополнительная Характеристика
-
ULTRA LOW RESISTANCE
Положение терминала
-
DUAL
Форма вывода
-
GULL WING
Основной номер части
-
IRF7307PBF
Режим работы
-
ENHANCEMENT MODE
Применение транзистора
-
SWITCHING
Полярность/Тип канала
-
N-CHANNEL AND P-CHANNEL
Пороговое напряжение
-
700mV
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)
-
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Номинальное Vgs
-
700 mV
Высота
-
1.4986mm
Длина
-
4.9784mm
Ширина
-
3.9878mm
REACH SVHC
-
No SVHC
Корпусировка на излучение
-
No