MRF9060NR1NXP USA Inc.
В наличии: 247
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
3,343.685165 ₽
3,343.68 ₽
10
3,154.419918 ₽
31,544.23 ₽
100
2,975.867898 ₽
297,586.81 ₽
500
2,807.422541 ₽
1,403,711.26 ₽
1000
2,648.511813 ₽
2,648,511.81 ₽
Цена за единицу: 3,343.685165 ₽
Итоговая цена: 3,343.68 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | Transistors RF MOSFET Power 60W 1GHZ FET TO-270 | FET RF 65V 2.17GHZ TO270-2 | Trans RF MOSFET N-CH 68V 3-Pin TO-270 GULL T/R |
Корпус / Кейс | TO-270AA | TO-270AA | TO-270BA |
Поверхностный монтаж | YES | YES | YES |
Материал элемента транзистора | SILICON | - | SILICON |
Количество элементов | 1 | - | 1 |
Номинальное напряжение | 65V | 65V | 68V |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2005 | 2006 | 2009 |
Код JESD-609 | e3 | e3 | e3 |
Состояние изделия | Obsolete | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 3 (168 Hours) | 3 (168 Hours) |
Количество выводов | 2 | - | 2 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
Конечная обработка контакта | Matte Tin (Sn) | Matte Tin (Sn) | Tin (Sn) |
Код ТН ВЭД | 8541.29.00.75 | 8541.29.00.40 | 8541.29.00.75 |
Положение терминала | DUAL | - | DUAL |
Форма вывода | FLAT | - | GULL WING |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | 260 | 260 |
Код соответствия REACH | unknown | - | not_compliant |
Частота | 945MHz | 2.17GHz | 960MHz |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 40 | 40 | 40 |
Основной номер части | MRF9060 | - | MW6S010 |
Код JESD-30 | R-PDFM-F2 | - | R-PDSO-G2 |
Квалификационный Статус | Not Qualified | - | Not Qualified |
Конфигурация | SINGLE | Single | SINGLE |
Режим работы | ENHANCEMENT MODE | - | ENHANCEMENT MODE |
Сокетная связка | SOURCE | - | SOURCE |
Ток - испытание | 450mA | 132mA | 125mA |
Применение транзистора | AMPLIFIER | - | AMPLIFIER |
Полярность/Тип канала | N-CHANNEL | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
Тип транзистора | LDMOS | LDMOS | LDMOS |
Увеличение | 18dB | 17.6dB | 18dB |
Минимальная напряжённость разрушения | 65V | - | 68V |
Выводная мощность | 60W | 1.5W | 10W |
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток) | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
Напряжение - испытание | 26V | 28V | 28V |
Состояние RoHS | Non-RoHS Compliant | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Срок поставки от производителя | - | 10 Weeks | 10 Weeks |
Рабочая температура (макс.) | - | 125°C | 225°C |
Уровень применения | - | Automotive grade | Military grade |
Максимальная потеря мощности (абс.) | - | - | 61.4W |