MRF9060NR1 Альтернативные части: MW6S010GNR1

MRF9060NR1NXP USA Inc.

В наличии: 247

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
3,343.685165 ₽
3,343.68 ₽
10
3,154.419918 ₽
31,544.23 ₽
100
2,975.867898 ₽
297,586.81 ₽
500
2,807.422541 ₽
1,403,711.26 ₽
1000
2,648.511813 ₽
2,648,511.81 ₽

Цена за единицу: 3,343.685165 ₽

Итоговая цена: 3,343.68 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иMRF9060NR1	иMW6S010GNR1
Производитель:	NXP USA Inc.	NXP USA Inc.
Описание:	Transistors RF MOSFET Power 60W 1GHZ FET TO-270	Trans RF MOSFET N-CH 68V 3-Pin TO-270 GULL T/R
Корпус / Кейс	TO-270AA	TO-270BA
Поверхностный монтаж	YES	YES
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON
Количество элементов	1	1
Номинальное напряжение	65V	68V
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Опубликовано	2005	2009
Код JESD-609	e3	e3
Состояние изделия	Obsolete	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	3 (168 Hours)
Количество выводов	2	2
Код ECCN	EAR99	EAR99
Конечная обработка контакта	Matte Tin (Sn)	Tin (Sn)
Код ТН ВЭД	8541.29.00.75	8541.29.00.75
Положение терминала	DUAL	DUAL
Форма вывода	FLAT	GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)	260	260
Код соответствия REACH	unknown	not_compliant
Частота	945MHz	960MHz
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	40	40
Основной номер части	MRF9060	MW6S010
Код JESD-30	R-PDFM-F2	R-PDSO-G2
Квалификационный Статус	Not Qualified	Not Qualified
Конфигурация	SINGLE	SINGLE
Режим работы	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
Сокетная связка	SOURCE	SOURCE
Ток - испытание	450mA	125mA
Применение транзистора	AMPLIFIER	AMPLIFIER
Полярность/Тип канала	N-CHANNEL	N-CHANNEL
Тип транзистора	LDMOS	LDMOS
Увеличение	18dB	18dB
Минимальная напряжённость разрушения	65V	68V
Выводная мощность	60W	10W
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Напряжение - испытание	26V	28V
Состояние RoHS	Non-RoHS Compliant	ROHS3 Compliant
Срок поставки от производителя	-	10 Weeks
Рабочая температура (макс.)	-	225°C
Уровень применения	-	Military grade
Максимальная потеря мощности (абс.)	-	61.4W

Транзисторы - FET, MOSFET - РЧ Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
AFT20S015GNR1	NXP USA Inc.	Транзисторы - FET, MOSFET - РЧ	TO-270BA	RF MOSFET Transistors AF 1.8-2.7G 15W TO270-2G	Для сравнения
AFT20S015NR1	NXP USA Inc.	Транзисторы - FET, MOSFET - РЧ	TO-270AA	FET RF 65V 2.17GHZ TO270-2	Для сравнения
MW6S010GNR1	NXP USA Inc.	Транзисторы - FET, MOSFET - РЧ	TO-270BA	Trans RF MOSFET N-CH 68V 3-Pin TO-270 GULL T/R	Для сравнения