MMSTA42-7-F Альтернативные части: MMST5551-7-F ,2SD2351T106W

MMSTA42-7-FDiodes Incorporated

  • MMSTA42-7-FDiodes Incorporated
  • MMST5551-7-FDiodes Incorporated
  • 2SD2351T106WROHM Semiconductor

В наличии: 9205

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    8.364835 ₽

    8.38 ₽

  • 10

    7.891360 ₽

    78.85 ₽

  • 100

    7.444670 ₽

    744.51 ₽

  • 500

    7.023283 ₽

    3,511.68 ₽

  • 1000

    6.625728 ₽

    6,625.69 ₽

Цена за единицу: 8.364835 ₽

Итоговая цена: 8.38 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
TRANS NPN 300V 0.2A SC70-3
TRANS NPN 160V 0.2A SC70-3
TRANS NPN 50V 0.15A SOT-323
Срок поставки от производителя
19 Weeks
19 Weeks
13 Weeks
Покрытие контактов
Tin
-
Copper, Silver, Tin
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
SC-70, SOT-323
SC-70, SOT-323
SC-70, SOT-323
Количество контактов
3
3
3
Вес
6.010099mg
6.010099mg
-
Материал элемента транзистора
SILICON
-
SILICON
Диэлектрический пробой напряжение
300V
160V
50V
Количество элементов
1
1
1
Минимальная частота работы в герцах
25
80
820
Рабочая температура
-55°C~150°C TJ
-55°C~150°C TJ
150°C TJ
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2007
2007
2004
Код JESD-609
e3
-
e1
Безоловая кодировка
yes
-
yes
Состояние изделия
Active
Active
Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
3
-
3
Код ECCN
EAR99
-
EAR99
Ток постоянного напряжения - номинальный
300V
160V
50V
Максимальная потеря мощности
200mW
200mW
200mW
Положение терминала
DUAL
-
DUAL
Форма вывода
GULL WING
-
GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)
260
-
260
Моментальный ток
200mA
200mA
150mA
Частота
50MHz
300MHz
-
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
40
-
10
Основной номер части
MMSTA42
MMST5551
2SD2351
Число контактов
3
-
3
Конфигурация элемента
Single
Single
Single
Распад мощности
200mW
200mW
200mW
Применение транзистора
SWITCHING
-
-
Продуктивность полосы частот
50MHz
300MHz
250MHz
Полярность/Тип канала
NPN
-
NPN
Тип транзистора
NPN
NPN
NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
300V
160V
50V
Максимальный ток сбора
200mA
200mA
150mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
40 @ 30mA 10V
80 @ 10mA 5V
820 @ 1mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)
100nA ICBO
50nA ICBO
300nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
500mV @ 2mA, 20mA
200mV @ 5mA, 50mA
300mV @ 5mA, 50mA
Частота перехода
50MHz
-
250MHz
Максимальное напряжение разрушения
300V
160V
50V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
300V
180V
60V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
6V
6V
12V
Прямоходящий ток коллектора
200mA
-
150mA
Высота
1mm
1mm
900μm
Длина
2.2mm
2.2mm
2mm
Ширина
1.35mm
1.35mm
1.35mm
REACH SVHC
No SVHC
No SVHC
No SVHC
Корпусировка на излучение
No
No
No
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Lead Free
Поставщик упаковки устройства
-
SOT-323
-
Максимальный коллекторный ток (Ic)
-
200mA
-
Завершение
-
SMD/SMT
-
Максимальная рабочая температура
-
150°C
-
Минимальная температура работы
-
-55°C
-
Направленность
-
NPN
-
Мощность - Макс
-
200mW
-
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)
-
160V
-
Максимальная частота
-
300MHz
100MHz
Частота - Переход
-
300MHz
-
Конечная обработка контакта
-
-
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
Код ТН ВЭД
-
-
8541.21.00.75