MMSTA42-7-F Альтернативные части: MMST5551-7-F

MMSTA42-7-FDiodes Incorporated

  • MMSTA42-7-FDiodes Incorporated
  • MMST5551-7-FDiodes Incorporated

В наличии: 9205

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    8.364835 ₽

    8.38 ₽

  • 10

    7.891360 ₽

    78.85 ₽

  • 100

    7.444670 ₽

    744.51 ₽

  • 500

    7.023283 ₽

    3,511.68 ₽

  • 1000

    6.625728 ₽

    6,625.69 ₽

Цена за единицу: 8.364835 ₽

Итоговая цена: 8.38 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
TRANS NPN 300V 0.2A SC70-3
TRANS NPN 160V 0.2A SC70-3
Срок поставки от производителя
19 Weeks
19 Weeks
Покрытие контактов
Tin
-
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
SC-70, SOT-323
SC-70, SOT-323
Количество контактов
3
3
Вес
6.010099mg
6.010099mg
Материал элемента транзистора
SILICON
-
Диэлектрический пробой напряжение
300V
160V
Количество элементов
1
1
Минимальная частота работы в герцах
25
80
Рабочая температура
-55°C~150°C TJ
-55°C~150°C TJ
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2007
2007
Код JESD-609
e3
-
Безоловая кодировка
yes
-
Состояние изделия
Active
Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
3
-
Код ECCN
EAR99
-
Ток постоянного напряжения - номинальный
300V
160V
Максимальная потеря мощности
200mW
200mW
Положение терминала
DUAL
-
Форма вывода
GULL WING
-
Температура пайки (пиковая) (°C)
260
-
Моментальный ток
200mA
200mA
Частота
50MHz
300MHz
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
40
-
Основной номер части
MMSTA42
MMST5551
Число контактов
3
-
Конфигурация элемента
Single
Single
Распад мощности
200mW
200mW
Применение транзистора
SWITCHING
-
Продуктивность полосы частот
50MHz
300MHz
Полярность/Тип канала
NPN
-
Тип транзистора
NPN
NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
300V
160V
Максимальный ток сбора
200mA
200mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
40 @ 30mA 10V
80 @ 10mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)
100nA ICBO
50nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
500mV @ 2mA, 20mA
200mV @ 5mA, 50mA
Частота перехода
50MHz
-
Максимальное напряжение разрушения
300V
160V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
300V
180V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
6V
6V
Прямоходящий ток коллектора
200mA
-
Высота
1mm
1mm
Длина
2.2mm
2.2mm
Ширина
1.35mm
1.35mm
REACH SVHC
No SVHC
No SVHC
Корпусировка на излучение
No
No
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Поставщик упаковки устройства
-
SOT-323
Максимальный коллекторный ток (Ic)
-
200mA
Завершение
-
SMD/SMT
Максимальная рабочая температура
-
150°C
Минимальная температура работы
-
-55°C
Направленность
-
NPN
Мощность - Макс
-
200mW
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)
-
160V
Максимальная частота
-
300MHz
Частота - Переход
-
300MHz