MMSTA42-7-F Альтернативные части: 2SD2351T106W ,BC847BW-7-F

MMSTA42-7-FDiodes Incorporated

В наличии: 9205

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
8.364835 ₽
8.38 ₽
10
7.891360 ₽
78.85 ₽
100
7.444670 ₽
744.51 ₽
500
7.023283 ₽
3,511.68 ₽
1000
6.625728 ₽
6,625.69 ₽

Цена за единицу: 8.364835 ₽

Итоговая цена: 8.38 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иMMSTA42-7-F	и2SD2351T106W	иBC847BW-7-F
Производитель:	Diodes Incorporated	ROHM Semiconductor	Diodes Incorporated
Описание:	TRANS NPN 300V 0.2A SC70-3	TRANS NPN 50V 0.15A SOT-323	Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANSISTOR NPN SOT-323
Срок поставки от производителя	19 Weeks	13 Weeks	19 Weeks
Покрытие контактов	Tin	Copper, Silver, Tin	Tin
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	SC-70, SOT-323	SC-70, SOT-323	SC-70, SOT-323
Количество контактов	3	3	3
Вес	6.010099mg	-	6.010099mg
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON	SILICON
Диэлектрический пробой напряжение	300V	50V	45V
Количество элементов	1	1	1
Минимальная частота работы в герцах	25	820	200
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	150°C TJ	-65°C~150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Опубликовано	2007	2004	2007
Код JESD-609	e3	e1	e3
Безоловая кодировка	yes	yes	yes
Состояние изделия	Active	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	3	3	3
Код ECCN	EAR99	EAR99	EAR99
Ток постоянного напряжения - номинальный	300V	50V	45V
Максимальная потеря мощности	200mW	200mW	200mW
Положение терминала	DUAL	DUAL	DUAL
Форма вывода	GULL WING	GULL WING	GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)	260	260	260
Моментальный ток	200mA	150mA	100mA
Частота	50MHz	-	300MHz
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	40	10	40
Основной номер части	MMSTA42	2SD2351	BC847
Число контактов	3	3	3
Конфигурация элемента	Single	Single	Single
Распад мощности	200mW	200mW	200mW
Применение транзистора	SWITCHING	-	SWITCHING
Продуктивность полосы частот	50MHz	250MHz	300MHz
Полярность/Тип канала	NPN	NPN	NPN
Тип транзистора	NPN	NPN	NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	300V	50V	45V
Максимальный ток сбора	200mA	150mA	100mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce	40 @ 30mA 10V	820 @ 1mA 5V	200 @ 2mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)	100nA ICBO	300nA ICBO	20nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic	500mV @ 2mA, 20mA	300mV @ 5mA, 50mA	600mV @ 5mA, 100mA
Частота перехода	50MHz	250MHz	300MHz
Максимальное напряжение разрушения	300V	50V	45V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)	300V	60V	50V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	6V	12V	6V
Прямоходящий ток коллектора	200mA	150mA	-
Высота	1mm	900μm	1.1mm
Длина	2.2mm	2mm	2.2mm
Ширина	1.35mm	1.35mm	1.35mm
REACH SVHC	No SVHC	No SVHC	No SVHC
Корпусировка на излучение	No	No	No
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free	Lead Free
Конечная обработка контакта	-	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	-
Код ТН ВЭД	-	8541.21.00.75	-
Максимальная частота	-	100MHz	-
Завершение	-	-	SMD/SMT
Максимальная температура перехода (Тj)	-	-	150°C

Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
BC847BW-7-F	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	SC-70, SOT-323	Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANSISTOR NPN SOT-323	Для сравнения
MMST3904-7-F	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	SC-70, SOT-323	Trans GP BJT NPN 40V 0.2A Automotive 3-Pin SOT-323 T/R	Для сравнения
MMST5551-7-F	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	SC-70, SOT-323	TRANS NPN 160V 0.2A SC70-3	Для сравнения
2SD2351T106W	ROHM Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	SC-70, SOT-323	TRANS NPN 50V 0.15A SOT-323	Для сравнения