MMBTH24-7-F Альтернативные части: BC847B-7-F ,MMBTH10RG

MMBTH24-7-FDiodes Incorporated

  • MMBTH24-7-FDiodes Incorporated
  • BC847B-7-FDiodes Incorporated
  • MMBTH10RGON Semiconductor

В наличии: 2498

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    16.003640 ₽

    16.07 ₽

  • 10

    15.097720 ₽

    150.96 ₽

  • 100

    14.243146 ₽

    1,424.31 ₽

  • 500

    13.436909 ₽

    6,718.41 ₽

  • 1000

    12.676360 ₽

    12,676.37 ₽

Цена за единицу: 16.003640 ₽

Итоговая цена: 16.07 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
Trans GP BJT NPN 40V 0.05A 3-Pin SOT-23 T/R
DIODES INC. - BC847B-7-F - Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 45 V, 300 MHz, 300 mW, 100 mA, 330 hFE
Transistor, Bjt, Npn, 40V V(Br)Ceo, 50Ma I(C), Sot-23 Rohs Compliant: Yes
Срок поставки от производителя
15 Weeks
19 Weeks
7 Weeks
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Количество контактов
3
3
3
Вес
7.994566mg
7.994566mg
30mg
Материал элемента транзистора
SILICON
SILICON
SILICON
Диэлектрический пробой напряжение
40V
45V
40V
Количество элементов
1
1
1
Минимальная частота работы в герцах
30
200
50
Рабочая температура
-55°C~150°C TJ
-65°C~150°C TJ
-55°C~150°C TJ
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2000
2012
2008
Код JESD-609
e3
e3
e3
Безоловая кодировка
yes
yes
yes
Состояние изделия
Active
Active
Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
3
3
3
Код ECCN
EAR99
EAR99
EAR99
Конечная обработка контакта
Matte Tin (Sn)
-
Tin (Sn)
Ток постоянного напряжения - номинальный
40V
-
40V
Максимальная потеря мощности
300mW
300mW
225mW
Положение терминала
DUAL
DUAL
DUAL
Форма вывода
GULL WING
GULL WING
GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)
260
260
-
Моментальный ток
50mA
-
50mA
Частота
400MHz
300MHz
450MHz
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
40
40
-
Основной номер части
MMBTH24
BC847
MMBTH10
Число контактов
3
3
-
Конфигурация элемента
Single
Single
Single
Распад мощности
300mW
310mW
-
Применение транзистора
AMPLIFIER
SWITCHING
AMPLIFIER
Продуктивность полосы частот
400MHz
300MHz
450MHz
Полярность/Тип канала
NPN
NPN
NPN
Тип транзистора
NPN
NPN
NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
40V
45V
40V
Максимальный ток сбора
50mA
200mA
50mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
30 @ 8mA 10V
200 @ 2mA 5V
50 @ 1mA 6V
Частота перехода
400MHz
300MHz
450MHz
Максимальное напряжение разрушения
40V
45V
-
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
40V
50V
40V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
4V
6V
4V
Прямоходящий ток коллектора
50mA
-
45mA
Сопротивление базы-эмиттора макс
0.7pF
-
0.6pF
Высота
1mm
1.1mm
930μm
Длина
3.05mm
3.05mm
2.92mm
Ширина
1.4mm
1.4mm
1.3mm
REACH SVHC
No SVHC
No SVHC
-
Корпусировка на излучение
No
-
No
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Lead Free
Покрытие контактов
-
Tin
-
Максимальный коллекторный ток (Ic)
-
100mA
-
Дополнительная Характеристика
-
HIGH RELIABILITY
-
Квалификационный Статус
-
Not Qualified
-
Ток - отсечка коллектора (макс)
-
15nA
-
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
-
600mV @ 5mA, 100mA
-
Максимальная температура перехода (Тj)
-
150°C
-
Состояние жизненного цикла
-
-
LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
Выводная мощность
-
-
225mW