MMBTH24-7-F Альтернативные части: BC847B-7-F

MMBTH24-7-FDiodes Incorporated

В наличии: 2498

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
16.003640 ₽
16.07 ₽
10
15.097720 ₽
150.96 ₽
100
14.243146 ₽
1,424.31 ₽
500
13.436909 ₽
6,718.41 ₽
1000
12.676360 ₽
12,676.37 ₽

Цена за единицу: 16.003640 ₽

Итоговая цена: 16.07 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иMMBTH24-7-F	иBC847B-7-F
Производитель:	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated
Описание:	Trans GP BJT NPN 40V 0.05A 3-Pin SOT-23 T/R	DIODES INC. - BC847B-7-F - Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 45 V, 300 MHz, 300 mW, 100 mA, 330 hFE
Срок поставки от производителя	15 Weeks	19 Weeks
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Количество контактов	3	3
Вес	7.994566mg	7.994566mg
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON
Диэлектрический пробой напряжение	40V	45V
Количество элементов	1	1
Минимальная частота работы в герцах	30	200
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-65°C~150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Опубликовано	2000	2012
Код JESD-609	e3	e3
Безоловая кодировка	yes	yes
Состояние изделия	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	3	3
Код ECCN	EAR99	EAR99
Конечная обработка контакта	Matte Tin (Sn)	-
Ток постоянного напряжения - номинальный	40V	-
Максимальная потеря мощности	300mW	300mW
Положение терминала	DUAL	DUAL
Форма вывода	GULL WING	GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)	260	260
Моментальный ток	50mA	-
Частота	400MHz	300MHz
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	40	40
Основной номер части	MMBTH24	BC847
Число контактов	3	3
Конфигурация элемента	Single	Single
Распад мощности	300mW	310mW
Применение транзистора	AMPLIFIER	SWITCHING
Продуктивность полосы частот	400MHz	300MHz
Полярность/Тип канала	NPN	NPN
Тип транзистора	NPN	NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	40V	45V
Максимальный ток сбора	50mA	200mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce	30 @ 8mA 10V	200 @ 2mA 5V
Частота перехода	400MHz	300MHz
Максимальное напряжение разрушения	40V	45V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)	40V	50V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	4V	6V
Прямоходящий ток коллектора	50mA	-
Сопротивление базы-эмиттора макс	0.7pF	-
Высота	1mm	1.1mm
Длина	3.05mm	3.05mm
Ширина	1.4mm	1.4mm
REACH SVHC	No SVHC	No SVHC
Корпусировка на излучение	No	-
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free
Покрытие контактов	-	Tin
Максимальный коллекторный ток (Ic)	-	100mA
Дополнительная Характеристика	-	HIGH RELIABILITY
Квалификационный Статус	-	Not Qualified
Ток - отсечка коллектора (макс)	-	15nA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic	-	600mV @ 5mA, 100mA
Максимальная температура перехода (Тj)	-	150°C

Транзисторы - Бипланарные (BJT) - РЧ Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
MMBTH24	ON Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - РЧ	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Trans GP BJT NPN 30V 0.05A 3-Pin SOT-23 T/R	Для сравнения
BC847B-7-F	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	DIODES INC. - BC847B-7-F - Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 45 V, 300 MHz, 300 mW, 100 mA, 330 hFE	Для сравнения
MMBTH10RG	ON Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - РЧ	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Transistor, Bjt, Npn, 40V V(Br)Ceo, 50Ma I(C), Sot-23 Rohs Compliant: Yes	Для сравнения
MMBT2222A-7-F	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TRANS NPN 40V 0.6A SMD SOT23-3	Для сравнения