MMBTH10LT3G Альтернативные части: MMBT5089LT1G ,BC818-40LT1G

MMBTH10LT3GON Semiconductor

  • MMBTH10LT3GON Semiconductor
  • MMBT5089LT1GON Semiconductor
  • BC818-40LT1GON Semiconductor

В наличии: 39485

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    25.905165 ₽

    25.96 ₽

  • 10

    24.438832 ₽

    244.37 ₽

  • 100

    23.055495 ₽

    2,305.49 ₽

  • 500

    21.750453 ₽

    10,875.27 ₽

  • 1000

    20.519286 ₽

    20,519.23 ₽

Цена за единицу: 25.905165 ₽

Итоговая цена: 25.96 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
TRANS VHF/UHF NPN 25V SOT23
TRANS NPN 25V 0.05A SOT23
TRANS NPN 25V 0.5A SOT-23
Состояние жизненного цикла
ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
Срок поставки от производителя
8 Weeks
9 Weeks
4 Weeks
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Поверхностный монтаж
YES
YES
-
Количество контактов
3
3
3
Материал элемента транзистора
SILICON
SILICON
-
Диэлектрический пробой напряжение
25V
25V
25V
Количество элементов
1
1
1
Минимальная частота работы в герцах
60
400
250
Рабочая температура
-55°C~150°C TJ
-55°C~150°C TJ
-55°C~150°C TJ
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2012
1997
2008
Код JESD-609
e3
e3
-
Безоловая кодировка
yes
yes
yes
Состояние изделия
Active
Active
Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
3
3
-
Код ECCN
EAR99
EAR99
-
Конечная обработка контакта
Tin (Sn)
-
-
Максимальная потеря мощности
225mW
225mW
225mW
Положение терминала
DUAL
DUAL
-
Форма вывода
GULL WING
GULL WING
-
Температура пайки (пиковая) (°C)
260
260
-
Частота
650MHz
50MHz
100MHz
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
40
40
-
Основной номер части
MMBTH10
MMBT5089
BC818
Число контактов
3
3
-
Конфигурация элемента
Single
Single
Single
Распад мощности
300mW
225mW
300mW
Без галогенов
Halogen Free
-
Halogen Free
Продуктивность полосы частот
650MHz
50MHz
100MHz
Полярность/Тип канала
NPN
NPN
-
Тип транзистора
NPN
NPN
NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
25V
25V
25V
Максимальный ток сбора
500mA
50mA
500mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
60 @ 4mA 10V
400 @ 100μA 5V
250 @ 100mA 1V
Частота перехода
650MHz
50MHz
-
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
30V
30V
30V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
3V
4.5V
5V
Сопротивление базы-эмиттора макс
0.7pF
-
-
Высота
1.11mm
1.11mm
1.11mm
Длина
3.04mm
3.04mm
3.04mm
Ширина
2.64mm
2.64mm
1.4mm
Корпусировка на излучение
No
No
No
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Lead Free
Покрытие контактов
-
Tin
Tin
Вес
-
4.535924g
-
Ток постоянного напряжения - номинальный
-
25V
-
Моментальный ток
-
50mA
-
Мощность - Макс
-
300mW
225mW
Ток - отсечка коллектора (макс)
-
50nA ICBO
100nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
-
500mV @ 1mA, 10mA
700mV @ 50mA, 500mA
Максимальное напряжение разрушения
-
25V
25V
REACH SVHC
-
No SVHC
No SVHC