Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
MMBTH10LT3G Альтернативные части: MMBT5089LT1G
MMBTH10LT3GON Semiconductor
В наличии: 39485
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
25.905165 ₽
25.96 ₽
10
24.438832 ₽
244.37 ₽
100
23.055495 ₽
2,305.49 ₽
500
21.750453 ₽
10,875.27 ₽
1000
20.519286 ₽
20,519.23 ₽
Цена за единицу: 25.905165 ₽
Итоговая цена: 25.96 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | TRANS VHF/UHF NPN 25V SOT23 | TRANS NPN 25V 0.05A SOT23 |
Состояние жизненного цикла | ACTIVE (Last Updated: 1 day ago) | ACTIVE (Last Updated: 2 days ago) |
Срок поставки от производителя | 8 Weeks | 9 Weeks |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Поверхностный монтаж | YES | YES |
Количество контактов | 3 | 3 |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON |
Диэлектрический пробой напряжение | 25V | 25V |
Количество элементов | 1 | 1 |
Минимальная частота работы в герцах | 60 | 400 |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2012 | 1997 |
Код JESD-609 | e3 | e3 |
Безоловая кодировка | yes | yes |
Состояние изделия | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 3 | 3 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 |
Конечная обработка контакта | Tin (Sn) | - |
Максимальная потеря мощности | 225mW | 225mW |
Положение терминала | DUAL | DUAL |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | 260 |
Частота | 650MHz | 50MHz |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 40 | 40 |
Основной номер части | MMBTH10 | MMBT5089 |
Число контактов | 3 | 3 |
Конфигурация элемента | Single | Single |
Распад мощности | 300mW | 225mW |
Без галогенов | Halogen Free | - |
Продуктивность полосы частот | 650MHz | 50MHz |
Полярность/Тип канала | NPN | NPN |
Тип транзистора | NPN | NPN |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 25V | 25V |
Максимальный ток сбора | 500mA | 50mA |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 60 @ 4mA 10V | 400 @ 100μA 5V |
Частота перехода | 650MHz | 50MHz |
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО) | 30V | 30V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 3V | 4.5V |
Сопротивление базы-эмиттора макс | 0.7pF | - |
Высота | 1.11mm | 1.11mm |
Длина | 3.04mm | 3.04mm |
Ширина | 2.64mm | 2.64mm |
Корпусировка на излучение | No | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free |
Покрытие контактов | - | Tin |
Вес | - | 4.535924g |
Ток постоянного напряжения - номинальный | - | 25V |
Моментальный ток | - | 50mA |
Мощность - Макс | - | 300mW |
Ток - отсечка коллектора (макс) | - | 50nA ICBO |
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic | - | 500mV @ 1mA, 10mA |
Максимальное напряжение разрушения | - | 25V |
REACH SVHC | - | No SVHC |
Транзисторы - Бипланарные (BJT) - РЧ Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | BC818-40LT1G | ON Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TRANS NPN 25V 0.5A SOT-23 | Для сравнения |
| MMBTH10-4LT1G | ON Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - РЧ | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TRANS VHF/UHF NPN 25V SOT-23 | Для сравнения |
 | MMBT5089LT1G | ON Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TRANS NPN 25V 0.05A SOT23 | Для сравнения |