MMBTH10LT1G Альтернативные части: MMBT6521LT1G ,MMBTH10-4LT1G

MMBTH10LT1GON Semiconductor

  • MMBTH10LT1GON Semiconductor
  • MMBT6521LT1GON Semiconductor
  • MMBTH10-4LT1GON Semiconductor

В наличии: 8795

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    6.415659 ₽

    6.46 ₽

  • 10

    6.052514 ₽

    60.58 ₽

  • 100

    5.709918 ₽

    571.02 ₽

  • 500

    5.386717 ₽

    2,693.41 ₽

  • 1000

    5.081799 ₽

    5,081.87 ₽

Цена за единицу: 6.415659 ₽

Итоговая цена: 6.46 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
TRANS SS VHF MIXER NPN 25V SOT23
MMBT6521 Series 25 V 100 mA SMT NPN Amplifier Transistor - SOT-23-3
TRANS VHF/UHF NPN 25V SOT-23
Состояние жизненного цикла
ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
Срок поставки от производителя
8 Weeks
2 Weeks
8 Weeks
Покрытие контактов
Tin
Tin
-
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Поверхностный монтаж
YES
YES
YES
Количество контактов
3
3
3
Вес
4.535924g
-
-
Материал элемента транзистора
SILICON
SILICON
SILICON
Диэлектрический пробой напряжение
25V
25V
25V
Количество элементов
1
1
1
Минимальная частота работы в герцах
60
150
120
Рабочая температура
-55°C~150°C TJ
-55°C~150°C TJ
-55°C~150°C TJ
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2001
2006
2008
Код JESD-609
e3
e3
e3
Безоловая кодировка
yes
yes
yes
Состояние изделия
Active
Active
Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
3
3
3
Завершение
SMD/SMT
-
-
Код ECCN
EAR99
EAR99
EAR99
Ток постоянного напряжения - номинальный
25V
25V
25V
Максимальная потеря мощности
225mW
225mW
225mW
Положение терминала
DUAL
DUAL
DUAL
Форма вывода
GULL WING
GULL WING
GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)
260
260
260
Моментальный ток
4mA
100mA
4mA
Частота
650MHz
-
800MHz
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
40
40
40
Основной номер части
MMBTH10
-
MMBTH10
Число контактов
3
3
3
Конфигурация элемента
Single
Single
Single
Распад мощности
225mW
300mW
300mW
Без галогенов
Halogen Free
-
Halogen Free
Продуктивность полосы частот
650MHz
-
800MHz
Полярность/Тип канала
NPN
NPN
NPN
Тип транзистора
NPN
NPN
NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
25V
25V
25V
Максимальный ток сбора
100nA
100mA
-
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
60 @ 4mA 10V
300 @ 2mA 10V
120 @ 4mA 10V
Частота перехода
650MHz
-
800MHz
Максимальное напряжение разрушения
25V
-
25V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
30V
40V
30V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
3V
4V
3V
Максимальная температура перехода (Тj)
150°C
-
-
Сопротивление базы-эмиттора макс
0.7pF
-
0.7pF
Высота
1.11mm
-
-
Длина
3.04mm
-
-
Ширина
1.4mm
-
-
REACH SVHC
No SVHC
Unknown
-
Корпусировка на излучение
No
No
No
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Lead Free
Применение транзистора
-
AMPLIFIER
-
Ток - отсечка коллектора (макс)
-
500nA ICBO
-
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
-
500mV @ 5mA, 50mA
-
Конечная обработка контакта
-
-
Tin (Sn)
Максимальный ток коллектора (IC)
-
-
0.025A