Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
MMBTH10LT1G Альтернативные части: MMBT5089LT1G
MMBTH10LT1GON Semiconductor
В наличии: 8795
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
6.415659 ₽
6.46 ₽
10
6.052514 ₽
60.58 ₽
100
5.709918 ₽
571.02 ₽
500
5.386717 ₽
2,693.41 ₽
1000
5.081799 ₽
5,081.87 ₽
Цена за единицу: 6.415659 ₽
Итоговая цена: 6.46 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | TRANS SS VHF MIXER NPN 25V SOT23 | TRANS NPN 25V 0.05A SOT23 |
Состояние жизненного цикла | ACTIVE (Last Updated: 2 days ago) | ACTIVE (Last Updated: 2 days ago) |
Срок поставки от производителя | 8 Weeks | 9 Weeks |
Покрытие контактов | Tin | Tin |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Поверхностный монтаж | YES | YES |
Количество контактов | 3 | 3 |
Вес | 4.535924g | 4.535924g |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON |
Диэлектрический пробой напряжение | 25V | 25V |
Количество элементов | 1 | 1 |
Минимальная частота работы в герцах | 60 | 400 |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2001 | 1997 |
Код JESD-609 | e3 | e3 |
Безоловая кодировка | yes | yes |
Состояние изделия | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 3 | 3 |
Завершение | SMD/SMT | - |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 |
Ток постоянного напряжения - номинальный | 25V | 25V |
Максимальная потеря мощности | 225mW | 225mW |
Положение терминала | DUAL | DUAL |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | 260 |
Моментальный ток | 4mA | 50mA |
Частота | 650MHz | 50MHz |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 40 | 40 |
Основной номер части | MMBTH10 | MMBT5089 |
Число контактов | 3 | 3 |
Конфигурация элемента | Single | Single |
Распад мощности | 225mW | 225mW |
Без галогенов | Halogen Free | - |
Продуктивность полосы частот | 650MHz | 50MHz |
Полярность/Тип канала | NPN | NPN |
Тип транзистора | NPN | NPN |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 25V | 25V |
Максимальный ток сбора | 100nA | 50mA |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 60 @ 4mA 10V | 400 @ 100μA 5V |
Частота перехода | 650MHz | 50MHz |
Максимальное напряжение разрушения | 25V | 25V |
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО) | 30V | 30V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 3V | 4.5V |
Максимальная температура перехода (Тj) | 150°C | - |
Сопротивление базы-эмиттора макс | 0.7pF | - |
Высота | 1.11mm | 1.11mm |
Длина | 3.04mm | 3.04mm |
Ширина | 1.4mm | 2.64mm |
REACH SVHC | No SVHC | No SVHC |
Корпусировка на излучение | No | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free |
Мощность - Макс | - | 300mW |
Ток - отсечка коллектора (макс) | - | 50nA ICBO |
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic | - | 500mV @ 1mA, 10mA |
Транзисторы - Бипланарные (BJT) - РЧ Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | MMBT6521LT1G | ON Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBT6521 Series 25 V 100 mA SMT NPN Amplifier Transistor - SOT-23-3 | Для сравнения |
| MMBTH10-4LT1G | ON Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - РЧ | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TRANS VHF/UHF NPN 25V SOT-23 | Для сравнения |
 | MMBT5089LT1G | ON Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TRANS NPN 25V 0.05A SOT23 | Для сравнения |