MMBTH10LT1G Альтернативные части: MMBT5089LT1G ,MMBT6521LT1G

MMBTH10LT1GON Semiconductor

В наличии: 8795

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
6.415659 ₽
6.46 ₽
10
6.052514 ₽
60.58 ₽
100
5.709918 ₽
571.02 ₽
500
5.386717 ₽
2,693.41 ₽
1000
5.081799 ₽
5,081.87 ₽

Цена за единицу: 6.415659 ₽

Итоговая цена: 6.46 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иMMBTH10LT1G	иMMBT5089LT1G	иMMBT6521LT1G
Производитель:	ON Semiconductor	ON Semiconductor	ON Semiconductor
Описание:	TRANS SS VHF MIXER NPN 25V SOT23	TRANS NPN 25V 0.05A SOT23	MMBT6521 Series 25 V 100 mA SMT NPN Amplifier Transistor - SOT-23-3
Состояние жизненного цикла	ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)	ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)	ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
Срок поставки от производителя	8 Weeks	9 Weeks	2 Weeks
Покрытие контактов	Tin	Tin	Tin
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Поверхностный монтаж	YES	YES	YES
Количество контактов	3	3	3
Вес	4.535924g	4.535924g	-
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON	SILICON
Диэлектрический пробой напряжение	25V	25V	25V
Количество элементов	1	1	1
Минимальная частота работы в герцах	60	400	150
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Опубликовано	2001	1997	2006
Код JESD-609	e3	e3	e3
Безоловая кодировка	yes	yes	yes
Состояние изделия	Active	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	3	3	3
Завершение	SMD/SMT	-	-
Код ECCN	EAR99	EAR99	EAR99
Ток постоянного напряжения - номинальный	25V	25V	25V
Максимальная потеря мощности	225mW	225mW	225mW
Положение терминала	DUAL	DUAL	DUAL
Форма вывода	GULL WING	GULL WING	GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)	260	260	260
Моментальный ток	4mA	50mA	100mA
Частота	650MHz	50MHz	-
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	40	40	40
Основной номер части	MMBTH10	MMBT5089	-
Число контактов	3	3	3
Конфигурация элемента	Single	Single	Single
Распад мощности	225mW	225mW	300mW
Без галогенов	Halogen Free	-	-
Продуктивность полосы частот	650MHz	50MHz	-
Полярность/Тип канала	NPN	NPN	NPN
Тип транзистора	NPN	NPN	NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	25V	25V	25V
Максимальный ток сбора	100nA	50mA	100mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce	60 @ 4mA 10V	400 @ 100μA 5V	300 @ 2mA 10V
Частота перехода	650MHz	50MHz	-
Максимальное напряжение разрушения	25V	25V	-
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)	30V	30V	40V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	3V	4.5V	4V
Максимальная температура перехода (Тj)	150°C	-	-
Сопротивление базы-эмиттора макс	0.7pF	-	-
Высота	1.11mm	1.11mm	-
Длина	3.04mm	3.04mm	-
Ширина	1.4mm	2.64mm	-
REACH SVHC	No SVHC	No SVHC	Unknown
Корпусировка на излучение	No	No	No
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free	Lead Free
Мощность - Макс	-	300mW	-
Ток - отсечка коллектора (макс)	-	50nA ICBO	500nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic	-	500mV @ 1mA, 10mA	500mV @ 5mA, 50mA
Применение транзистора	-	-	AMPLIFIER

Транзисторы - Бипланарные (BJT) - РЧ Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
MMBT6521LT1G	ON Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MMBT6521 Series 25 V 100 mA SMT NPN Amplifier Transistor - SOT-23-3	Для сравнения
MMBTH10-4LT1G	ON Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - РЧ	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TRANS VHF/UHF NPN 25V SOT-23	Для сравнения
MMBT5089LT1G	ON Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TRANS NPN 25V 0.05A SOT23	Для сравнения