MMBTH10-4LT1GON Semiconductor
В наличии: 12977
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
6.814560 ₽
6.87 ₽
10
6.428832 ₽
64.29 ₽
100
6.064931 ₽
606.46 ₽
500
5.721635 ₽
2,860.85 ₽
1000
5.397775 ₽
5,397.80 ₽
Цена за единицу: 6.814560 ₽
Итоговая цена: 6.87 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | TRANS VHF/UHF NPN 25V SOT-23 | MMBT6521 Series 25 V 100 mA SMT NPN Amplifier Transistor - SOT-23-3 | RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3 |
Состояние жизненного цикла | ACTIVE (Last Updated: 5 days ago) | ACTIVE (Last Updated: 5 days ago) | LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago) |
Срок поставки от производителя | 8 Weeks | 2 Weeks | - |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | - |
Корпус / Кейс | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SOT-23-3 |
Поверхностный монтаж | YES | YES | YES |
Количество контактов | 3 | 3 | 3 |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON | - |
Диэлектрический пробой напряжение | 25V | 25V | 25V |
Количество элементов | 1 | 1 | 1 |
Минимальная частота работы в герцах | 120 | 150 | 60 |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ | - |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Cut Tape (CT) |
Опубликовано | 2008 | 2006 | 2003 |
Код JESD-609 | e3 | e3 | e0 |
Безоловая кодировка | yes | yes | no |
Состояние изделия | Active | Active | Obsolete |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 3 | 3 | 3 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
Конечная обработка контакта | Tin (Sn) | - | Tin/Lead (Sn/Pb) |
Ток постоянного напряжения - номинальный | 25V | 25V | 25V |
Максимальная потеря мощности | 225mW | 225mW | 225mW |
Положение терминала | DUAL | DUAL | DUAL |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING | GULL WING |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | 260 | 240 |
Моментальный ток | 4mA | 100mA | 4mA |
Частота | 800MHz | - | 650MHz |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 40 | 40 | 30 |
Основной номер части | MMBTH10 | - | - |
Число контактов | 3 | 3 | 3 |
Конфигурация элемента | Single | Single | Single |
Распад мощности | 300mW | 300mW | 300mW |
Без галогенов | Halogen Free | - | - |
Продуктивность полосы частот | 800MHz | - | 650MHz |
Полярность/Тип канала | NPN | NPN | - |
Тип транзистора | NPN | NPN | - |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 25V | 25V | 25V |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 120 @ 4mA 10V | 300 @ 2mA 10V | - |
Частота перехода | 800MHz | - | 650MHz |
Максимальное напряжение разрушения | 25V | - | - |
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО) | 30V | 40V | 30V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 3V | 4V | 3V |
Максимальный ток коллектора (IC) | 0.025A | - | 0.025A |
Сопротивление базы-эмиттора макс | 0.7pF | - | 0.7pF |
Корпусировка на излучение | No | No | - |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant | Non-RoHS Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free | Contains Lead |
Покрытие контактов | - | Tin | - |
Применение транзистора | - | AMPLIFIER | AMPLIFIER |
Максимальный ток сбора | - | 100mA | - |
Ток - отсечка коллектора (макс) | - | 500nA ICBO | - |
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic | - | 500mV @ 5mA, 50mA | - |
REACH SVHC | - | Unknown | - |
Максимальная рабочая температура | - | - | 150°C |
Минимальная температура работы | - | - | -55°C |
Код соответствия REACH | - | - | not_compliant |
Квалификационный Статус | - | - | Not Qualified |
Направленность | - | - | NPN |
Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE) | - | - | 60 |