MMBTH10-4LT1G Альтернативные части: MMBT6521LT1G ,MMBTH10LT1

MMBTH10-4LT1GON Semiconductor

  • MMBTH10-4LT1GON Semiconductor
  • MMBT6521LT1GON Semiconductor
  • MMBTH10LT1ON Semiconductor

В наличии: 12977

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    6.814560 ₽

    6.87 ₽

  • 10

    6.428832 ₽

    64.29 ₽

  • 100

    6.064931 ₽

    606.46 ₽

  • 500

    5.721635 ₽

    2,860.85 ₽

  • 1000

    5.397775 ₽

    5,397.80 ₽

Цена за единицу: 6.814560 ₽

Итоговая цена: 6.87 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
TRANS VHF/UHF NPN 25V SOT-23
MMBT6521 Series 25 V 100 mA SMT NPN Amplifier Transistor - SOT-23-3
RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3
Состояние жизненного цикла
ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago)
Срок поставки от производителя
8 Weeks
2 Weeks
-
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
-
Корпус / Кейс
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
Поверхностный монтаж
YES
YES
YES
Количество контактов
3
3
3
Материал элемента транзистора
SILICON
SILICON
-
Диэлектрический пробой напряжение
25V
25V
25V
Количество элементов
1
1
1
Минимальная частота работы в герцах
120
150
60
Рабочая температура
-55°C~150°C TJ
-55°C~150°C TJ
-
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Опубликовано
2008
2006
2003
Код JESD-609
e3
e3
e0
Безоловая кодировка
yes
yes
no
Состояние изделия
Active
Active
Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
3
3
3
Код ECCN
EAR99
EAR99
EAR99
Конечная обработка контакта
Tin (Sn)
-
Tin/Lead (Sn/Pb)
Ток постоянного напряжения - номинальный
25V
25V
25V
Максимальная потеря мощности
225mW
225mW
225mW
Положение терминала
DUAL
DUAL
DUAL
Форма вывода
GULL WING
GULL WING
GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)
260
260
240
Моментальный ток
4mA
100mA
4mA
Частота
800MHz
-
650MHz
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
40
40
30
Основной номер части
MMBTH10
-
-
Число контактов
3
3
3
Конфигурация элемента
Single
Single
Single
Распад мощности
300mW
300mW
300mW
Без галогенов
Halogen Free
-
-
Продуктивность полосы частот
800MHz
-
650MHz
Полярность/Тип канала
NPN
NPN
-
Тип транзистора
NPN
NPN
-
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
25V
25V
25V
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
120 @ 4mA 10V
300 @ 2mA 10V
-
Частота перехода
800MHz
-
650MHz
Максимальное напряжение разрушения
25V
-
-
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
30V
40V
30V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
3V
4V
3V
Максимальный ток коллектора (IC)
0.025A
-
0.025A
Сопротивление базы-эмиттора макс
0.7pF
-
0.7pF
Корпусировка на излучение
No
No
-
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
Non-RoHS Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Contains Lead
Покрытие контактов
-
Tin
-
Применение транзистора
-
AMPLIFIER
AMPLIFIER
Максимальный ток сбора
-
100mA
-
Ток - отсечка коллектора (макс)
-
500nA ICBO
-
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
-
500mV @ 5mA, 50mA
-
REACH SVHC
-
Unknown
-
Максимальная рабочая температура
-
-
150°C
Минимальная температура работы
-
-
-55°C
Код соответствия REACH
-
-
not_compliant
Квалификационный Статус
-
-
Not Qualified
Направленность
-
-
NPN
Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE)
-
-
60