Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
MMBTH10-4LT1G Альтернативные части: MMBTH10LT1G
MMBTH10-4LT1GON Semiconductor
В наличии: 12977
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
6.814560 ₽
6.87 ₽
10
6.428832 ₽
64.29 ₽
100
6.064931 ₽
606.46 ₽
500
5.721635 ₽
2,860.85 ₽
1000
5.397775 ₽
5,397.80 ₽
Цена за единицу: 6.814560 ₽
Итоговая цена: 6.87 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | TRANS VHF/UHF NPN 25V SOT-23 | TRANS SS VHF MIXER NPN 25V SOT23 |
Состояние жизненного цикла | ACTIVE (Last Updated: 5 days ago) | ACTIVE (Last Updated: 2 days ago) |
Срок поставки от производителя | 8 Weeks | 8 Weeks |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Поверхностный монтаж | YES | YES |
Количество контактов | 3 | 3 |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON |
Диэлектрический пробой напряжение | 25V | 25V |
Количество элементов | 1 | 1 |
Минимальная частота работы в герцах | 120 | 60 |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2008 | 2001 |
Код JESD-609 | e3 | e3 |
Безоловая кодировка | yes | yes |
Состояние изделия | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 3 | 3 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 |
Конечная обработка контакта | Tin (Sn) | - |
Ток постоянного напряжения - номинальный | 25V | 25V |
Максимальная потеря мощности | 225mW | 225mW |
Положение терминала | DUAL | DUAL |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | 260 |
Моментальный ток | 4mA | 4mA |
Частота | 800MHz | 650MHz |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 40 | 40 |
Основной номер части | MMBTH10 | MMBTH10 |
Число контактов | 3 | 3 |
Конфигурация элемента | Single | Single |
Распад мощности | 300mW | 225mW |
Без галогенов | Halogen Free | Halogen Free |
Продуктивность полосы частот | 800MHz | 650MHz |
Полярность/Тип канала | NPN | NPN |
Тип транзистора | NPN | NPN |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 25V | 25V |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 120 @ 4mA 10V | 60 @ 4mA 10V |
Частота перехода | 800MHz | 650MHz |
Максимальное напряжение разрушения | 25V | 25V |
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО) | 30V | 30V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 3V | 3V |
Максимальный ток коллектора (IC) | 0.025A | - |
Сопротивление базы-эмиттора макс | 0.7pF | 0.7pF |
Корпусировка на излучение | No | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free |
Покрытие контактов | - | Tin |
Вес | - | 4.535924g |
Завершение | - | SMD/SMT |
Максимальный ток сбора | - | 100nA |
Максимальная температура перехода (Тj) | - | 150°C |
Высота | - | 1.11mm |
Длина | - | 3.04mm |
Ширина | - | 1.4mm |
REACH SVHC | - | No SVHC |
Транзисторы - Бипланарные (BJT) - РЧ Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | MMBT6521LT1G | ON Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBT6521 Series 25 V 100 mA SMT NPN Amplifier Transistor - SOT-23-3 | Для сравнения |
 | MMBTH10LT1 | ON Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - РЧ | SOT-23-3 | RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3 | Для сравнения |
| MMBTH10LT1G | ON Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - РЧ | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TRANS SS VHF MIXER NPN 25V SOT23 | Для сравнения |