MMBTA64-7-F Альтернативные части: MMBTA63-7-F

MMBTA64-7-FDiodes Incorporated

В наличии: 1310

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
2.432692 ₽
2.47 ₽
10
2.294986 ₽
22.94 ₽
100
2.165082 ₽
216.48 ₽
500
2.042541 ₽
1,021.29 ₽
1000
1.926923 ₽
1,926.92 ₽

Цена за единицу: 2.432692 ₽

Итоговая цена: 2.47 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иMMBTA64-7-F	иMMBTA63-7-F
Производитель:	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated
Описание:	TRANS PNP DARL 30V 0.5A SOT23-3	Trans Darlington PNP 30V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R
Срок поставки от производителя	19 Weeks	19 Weeks
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Количество контактов	3	3
Вес	7.994566mg	7.994566mg
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON
Диэлектрический пробой напряжение	30V	30V
Количество элементов	1	1
Минимальная частота работы в герцах	10000	5000
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Серия	Automotive, AEC-Q101	Automotive, AEC-Q101
Опубликовано	2008	2008
Код JESD-609	e3	e3
Безоловая кодировка	yes	yes
Состояние изделия	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	3	3
Код ECCN	EAR99	EAR99
Конечная обработка контакта	Matte Tin (Sn)	Matte Tin (Sn)
Ток постоянного напряжения - номинальный	-30V	-30V
Максимальная потеря мощности	300mW	300mW
Положение терминала	DUAL	DUAL
Форма вывода	GULL WING	GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)	260	260
Моментальный ток	-500mA	-500mA
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	40	40
Основной номер части	MMBTA64	MMBTA63
Число контактов	3	3
Направленность	PNP	PNP
Конфигурация элемента	Single	Single
Мощность - Макс	300mW	300mW
Применение транзистора	SWITCHING	SWITCHING
Тип транзистора	PNP - Darlington	PNP - Darlington
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	30V	30V
Максимальный ток сбора	500mA	500mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce	20000 @ 100mA 5V	10000 @ 100mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)	100nA ICBO	100nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic	1.5V @ 100μA, 100mA	1.5V @ 100μA, 100mA
Частота перехода	125MHz	125MHz
Максимальное напряжение разрушения	30V	30V
Частота - Переход	125MHz	125MHz
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)	30V	30V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	10V	10V
Высота	1mm	1mm
Длина	3.05mm	3.05mm
Ширина	1.4mm	1.4mm
Корпусировка на излучение	No	No
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free

Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
KST63MTF	ON Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TRANS PNP DARL 30V 0.5A SOT-23	Для сравнения
MMBTA63	ON Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Trans Darlington PNP 30V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R	Для сравнения
MMBTA63-7-F	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Trans Darlington PNP 30V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R	Для сравнения