MMBTA64-7-F Альтернативные части: KST63MTF

MMBTA64-7-FDiodes Incorporated

  • MMBTA64-7-FDiodes Incorporated
  • KST63MTFON Semiconductor

В наличии: 1310

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    2.432692 ₽

    2.47 ₽

  • 10

    2.294986 ₽

    22.94 ₽

  • 100

    2.165082 ₽

    216.48 ₽

  • 500

    2.042541 ₽

    1,021.29 ₽

  • 1000

    1.926923 ₽

    1,926.92 ₽

Цена за единицу: 2.432692 ₽

Итоговая цена: 2.47 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
TRANS PNP DARL 30V 0.5A SOT23-3
TRANS PNP DARL 30V 0.5A SOT-23
Срок поставки от производителя
19 Weeks
-
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Количество контактов
3
3
Вес
7.994566mg
-
Материал элемента транзистора
SILICON
-
Диэлектрический пробой напряжение
30V
30V
Количество элементов
1
1
Минимальная частота работы в герцах
10000
5000
Рабочая температура
-55°C~150°C TJ
-
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Серия
Automotive, AEC-Q101
-
Опубликовано
2008
-
Код JESD-609
e3
-
Безоловая кодировка
yes
-
Состояние изделия
Active
Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
3
-
Код ECCN
EAR99
-
Конечная обработка контакта
Matte Tin (Sn)
-
Ток постоянного напряжения - номинальный
-30V
-30V
Максимальная потеря мощности
300mW
350mW
Положение терминала
DUAL
-
Форма вывода
GULL WING
-
Температура пайки (пиковая) (°C)
260
-
Моментальный ток
-500mA
-500mA
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
40
-
Основной номер части
MMBTA64
-
Число контактов
3
-
Направленность
PNP
PNP
Конфигурация элемента
Single
Single
Мощность - Макс
300mW
-
Применение транзистора
SWITCHING
-
Тип транзистора
PNP - Darlington
PNP - Darlington
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
30V
30V
Максимальный ток сбора
500mA
500mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
20000 @ 100mA 5V
10000 @ 100mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)
100nA ICBO
100nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
1.5V @ 100μA, 100mA
1.5V @ 100μA, 100mA
Частота перехода
125MHz
-
Максимальное напряжение разрушения
30V
-
Частота - Переход
125MHz
125MHz
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
30V
30V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
10V
10V
Высота
1mm
-
Длина
3.05mm
-
Ширина
1.4mm
-
Корпусировка на излучение
No
-
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
RoHS Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Максимальная рабочая температура
-
150°C