MMBT5088LT1G Альтернативные части: MMBT5089LT1G ,BC848CLT1G

MMBT5088LT1GON Semiconductor

В наличии: 12595

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
5.409341 ₽
5.36 ₽
10
5.103146 ₽
51.10 ₽
100
4.814299 ₽
481.46 ₽
500
4.541786 ₽
2,270.88 ₽
1000
4.284698 ₽
4,284.75 ₽

Цена за единицу: 5.409341 ₽

Итоговая цена: 5.36 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иMMBT5088LT1G	иMMBT5089LT1G	иBC848CLT1G
Производитель:	ON Semiconductor	ON Semiconductor	ON Semiconductor
Описание:	TRANS NPN 30V 0.05A SOT23	TRANS NPN 25V 0.05A SOT23	TRANS NPN 30V 0.1A SOT23
Состояние жизненного цикла	ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)	ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)	ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
Срок поставки от производителя	4 Weeks	9 Weeks	4 Weeks
Покрытие контактов	Tin	Tin	Tin
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Поверхностный монтаж	YES	YES	YES
Количество контактов	3	3	3
Вес	4.535924g	4.535924g	-
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON	SILICON
Диэлектрический пробой напряжение	30V	25V	30V
Количество элементов	1	1	1
Минимальная частота работы в герцах	300	400	420
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Cut Tape (CT)
Опубликовано	2005	1997	2005
Код JESD-609	e3	e3	e3
Безоловая кодировка	yes	yes	yes
Состояние изделия	Active	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	3	3	3
Код ECCN	EAR99	EAR99	EAR99
Ток постоянного напряжения - номинальный	30V	25V	30V
Максимальная потеря мощности	300mW	225mW	300mW
Положение терминала	DUAL	DUAL	DUAL
Форма вывода	GULL WING	GULL WING	GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)	260	260	260
Моментальный ток	50mA	50mA	100mA
Частота	50MHz	50MHz	100MHz
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	40	40	40
Основной номер части	MMBT5088	MMBT5089	-
Число контактов	3	3	3
Конфигурация элемента	Single	Single	Single
Распад мощности	300mW	225mW	300mW
Продуктивность полосы частот	50MHz	50MHz	100MHz
Полярность/Тип канала	NPN	NPN	NPN
Тип транзистора	NPN	NPN	NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	30V	25V	30V
Максимальный ток сбора	50mA	50mA	100mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce	300 @ 100μA 5V	400 @ 100μA 5V	420 @ 2mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)	50nA ICBO	50nA ICBO	15nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic	500mV @ 1mA, 10mA	500mV @ 1mA, 10mA	600mV @ 5mA, 100mA
Частота перехода	50MHz	50MHz	100MHz
Максимальное напряжение разрушения	30V	25V	30V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)	35V	30V	30V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	4.5V	4.5V	5V
Высота	1.01mm	1.11mm	940μm
Длина	3.04mm	3.04mm	2.9mm
Ширина	1.4mm	2.64mm	1.3mm
REACH SVHC	No SVHC	No SVHC	No SVHC
Корпусировка на излучение	No	No	No
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free	Lead Free
Мощность - Макс	-	300mW	-

Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
BC848CLT1G	ON Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TRANS NPN 30V 0.1A SOT23	Для сравнения
MMBT5089LT1	ON Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TRANS NPN 25V 0.05A SOT23	Для сравнения
MMBT5089LT1G	ON Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TRANS NPN 25V 0.05A SOT23	Для сравнения