Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
MMBT5088LT1G Альтернативные части: MMBT5089LT1G
MMBT5088LT1GON Semiconductor
В наличии: 12595
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
5.409341 ₽
5.36 ₽
10
5.103146 ₽
51.10 ₽
100
4.814299 ₽
481.46 ₽
500
4.541786 ₽
2,270.88 ₽
1000
4.284698 ₽
4,284.75 ₽
Цена за единицу: 5.409341 ₽
Итоговая цена: 5.36 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | TRANS NPN 30V 0.05A SOT23 | TRANS NPN 25V 0.05A SOT23 |
Состояние жизненного цикла | ACTIVE (Last Updated: 2 days ago) | ACTIVE (Last Updated: 2 days ago) |
Срок поставки от производителя | 4 Weeks | 9 Weeks |
Покрытие контактов | Tin | Tin |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Поверхностный монтаж | YES | YES |
Количество контактов | 3 | 3 |
Вес | 4.535924g | 4.535924g |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON |
Диэлектрический пробой напряжение | 30V | 25V |
Количество элементов | 1 | 1 |
Минимальная частота работы в герцах | 300 | 400 |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2005 | 1997 |
Код JESD-609 | e3 | e3 |
Безоловая кодировка | yes | yes |
Состояние изделия | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 3 | 3 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 |
Ток постоянного напряжения - номинальный | 30V | 25V |
Максимальная потеря мощности | 300mW | 225mW |
Положение терминала | DUAL | DUAL |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | 260 |
Моментальный ток | 50mA | 50mA |
Частота | 50MHz | 50MHz |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 40 | 40 |
Основной номер части | MMBT5088 | MMBT5089 |
Число контактов | 3 | 3 |
Конфигурация элемента | Single | Single |
Распад мощности | 300mW | 225mW |
Продуктивность полосы частот | 50MHz | 50MHz |
Полярность/Тип канала | NPN | NPN |
Тип транзистора | NPN | NPN |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 30V | 25V |
Максимальный ток сбора | 50mA | 50mA |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 300 @ 100μA 5V | 400 @ 100μA 5V |
Ток - отсечка коллектора (макс) | 50nA ICBO | 50nA ICBO |
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic | 500mV @ 1mA, 10mA | 500mV @ 1mA, 10mA |
Частота перехода | 50MHz | 50MHz |
Максимальное напряжение разрушения | 30V | 25V |
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО) | 35V | 30V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 4.5V | 4.5V |
Высота | 1.01mm | 1.11mm |
Длина | 3.04mm | 3.04mm |
Ширина | 1.4mm | 2.64mm |
REACH SVHC | No SVHC | No SVHC |
Корпусировка на излучение | No | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free |
Мощность - Макс | - | 300mW |
Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | BC848CLT1G | ON Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TRANS NPN 30V 0.1A SOT23 | Для сравнения |
 | MMBT5089LT1 | ON Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TRANS NPN 25V 0.05A SOT23 | Для сравнения |
| MMBT5089LT1G | ON Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TRANS NPN 25V 0.05A SOT23 | Для сравнения |