MMBT3904 Альтернативные части: KST3904MTF

MMBT3904ON Semiconductor

  • MMBT3904ON Semiconductor
  • KST3904MTFON Semiconductor

В наличии: 91100

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    2.747253 ₽

    2.75 ₽

  • 500

    2.020041 ₽

    1,010.03 ₽

  • 1000

    1.683365 ₽

    1,683.38 ₽

  • 2000

    1.544368 ₽

    3,088.74 ₽

  • 5000

    1.443338 ₽

    7,216.76 ₽

  • 10000

    1.342637 ₽

    13,426.37 ₽

  • 15000

    1.298489 ₽

    19,477.34 ₽

  • 50000

    1.276786 ₽

    63,839.29 ₽

Цена за единицу: 2.747253 ₽

Итоговая цена: 2.75 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
TRANS NPN 40V 0.2A SOT-23
Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
Состояние жизненного цикла
LAST SHIPMENTS (Last Updated: 3 days ago)
LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 day ago)
Срок поставки от производителя
31 Weeks
-
Покрытие контактов
Tin
-
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Количество контактов
3
3
Поставщик упаковки устройства
SOT-23-3
-
Вес
30mg
30mg
Диэлектрический пробой напряжение
40V
40V
Максимальный коллекторный ток (Ic)
200mA
-
Количество элементов
1
1
Минимальная частота работы в герцах
100
100
Рабочая температура
-55°C~150°C TJ
-
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2015
2011
Состояние изделия
Obsolete
Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Завершение
SMD/SMT
-
Максимальная рабочая температура
150°C
150°C
Минимальная температура работы
-55°C
-
Ток постоянного напряжения - номинальный
40V
40V
Максимальная потеря мощности
350mW
350mW
Моментальный ток
200mA
200mA
Частота
300MHz
300MHz
Основной номер части
MMBT3904
KST3904
Направленность
NPN
-
Конфигурация элемента
Single
Single
Распад мощности
350mW
350mW
Мощность - Макс
350mW
-
Продуктивность полосы частот
300MHz
300MHz
Тип транзистора
NPN
NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
40V
40V
Максимальный ток сбора
200mA
200mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
100 @ 10mA 1V
100 @ 10mA 1V
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
300mV @ 5mA, 50mA
300mV @ 5mA, 50mA
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)
40V
-
Максимальная частота
300MHz
-
Максимальное напряжение разрушения
40V
30V
Частота - Переход
300MHz
-
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
60V
60V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
6V
6V
Высота
930μm
970μm
Длина
2.92mm
2.9mm
Ширина
1.3mm
1.3mm
REACH SVHC
No SVHC
-
Корпусировка на излучение
No
No
Состояние RoHS
RoHS Compliant
RoHS Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Материал элемента транзистора
-
SILICON
Код JESD-609
-
e3
Безоловая кодировка
-
yes
Количество выводов
-
3
Код ECCN
-
EAR99
Конечная обработка контакта
-
Tin (Sn)
Положение терминала
-
DUAL
Форма вывода
-
GULL WING
Полярность/Тип канала
-
NPN
Частота перехода
-
300MHz
Время выключения максимальное (toff)
-
250ns
Время включения максимальный (тон)
-
70ns