MMBT3904 Альтернативные части: BSR17A

MMBT3904ON Semiconductor

  • MMBT3904ON Semiconductor
  • BSR17AON Semiconductor

В наличии: 91100

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    2.747253 ₽

    2.75 ₽

  • 500

    2.020041 ₽

    1,010.03 ₽

  • 1000

    1.683365 ₽

    1,683.38 ₽

  • 2000

    1.544368 ₽

    3,088.74 ₽

  • 5000

    1.443338 ₽

    7,216.76 ₽

  • 10000

    1.342637 ₽

    13,426.37 ₽

  • 15000

    1.298489 ₽

    19,477.34 ₽

  • 50000

    1.276786 ₽

    63,839.29 ₽

Цена за единицу: 2.747253 ₽

Итоговая цена: 2.75 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
TRANS NPN 40V 0.2A SOT-23
TRANS NPN 40V 0.2A SOT-23
Состояние жизненного цикла
LAST SHIPMENTS (Last Updated: 3 days ago)
ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
Срок поставки от производителя
31 Weeks
39 Weeks
Покрытие контактов
Tin
Tin
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Количество контактов
3
3
Поставщик упаковки устройства
SOT-23-3
-
Вес
30mg
30mg
Диэлектрический пробой напряжение
40V
40V
Максимальный коллекторный ток (Ic)
200mA
-
Количество элементов
1
1
Минимальная частота работы в герцах
100
100
Рабочая температура
-55°C~150°C TJ
-55°C~150°C TJ
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2015
2004
Состояние изделия
Obsolete
Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Завершение
SMD/SMT
-
Максимальная рабочая температура
150°C
-
Минимальная температура работы
-55°C
-
Ток постоянного напряжения - номинальный
40V
40V
Максимальная потеря мощности
350mW
350mW
Моментальный ток
200mA
200mA
Частота
300MHz
300MHz
Основной номер части
MMBT3904
BSR17
Направленность
NPN
-
Конфигурация элемента
Single
Single
Распад мощности
350mW
350mW
Мощность - Макс
350mW
-
Продуктивность полосы частот
300MHz
300MHz
Тип транзистора
NPN
NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
40V
40V
Максимальный ток сбора
200mA
200mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
100 @ 10mA 1V
100 @ 10mA 1V
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
300mV @ 5mA, 50mA
300mV @ 5mA, 50mA
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)
40V
-
Максимальная частота
300MHz
-
Максимальное напряжение разрушения
40V
40V
Частота - Переход
300MHz
-
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
60V
60V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
6V
6V
Высота
930μm
930μm
Длина
2.92mm
2.92mm
Ширина
1.3mm
1.3mm
REACH SVHC
No SVHC
No SVHC
Корпусировка на излучение
No
No
Состояние RoHS
RoHS Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Материал элемента транзистора
-
SILICON
Время отключения
-
250 ns
Код JESD-609
-
e3
Безоловая кодировка
-
yes
Количество выводов
-
3
Код ECCN
-
EAR99
Положение терминала
-
DUAL
Форма вывода
-
GULL WING
Время задержки включения
-
70 ns
Применение транзистора
-
SWITCHING
Полярность/Тип канала
-
NPN
Ток - отсечка коллектора (макс)
-
5μA ICBO
Частота перехода
-
300MHz