MMBFJ270 Альтернативные части: MMBF4393LT3G ,MMBFJ175

MMBFJ270ON Semiconductor

  • MMBFJ270ON Semiconductor
  • MMBF4393LT3GON Semiconductor
  • MMBFJ175ON Semiconductor

В наличии: 7755

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    24.024725 ₽

    24.04 ₽

  • 10

    22.664835 ₽

    226.65 ₽

  • 100

    21.381923 ₽

    2,138.19 ₽

  • 500

    20.171621 ₽

    10,085.85 ₽

  • 1000

    19.029835 ₽

    19,029.81 ₽

Цена за единицу: 24.024725 ₽

Итоговая цена: 24.04 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
JFET P-CH 30V 0.225W SOT23
JFET N-CH 30V 0.225W SOT23
JFET P-CH 30V 0.225W SOT23
Состояние жизненного цикла
ACTIVE (Last Updated: 13 hours ago)
ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
LIFETIME (Last Updated: 3 days ago)
Срок поставки от производителя
42 Weeks
8 Weeks
14 Weeks
Покрытие контактов
Tin
-
Tin
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Количество контактов
3
3
3
Вес
30mg
200.998119mg
30mg
Материал элемента транзистора
SILICON
SILICON
SILICON
Количество элементов
1
1
1
Рабочая температура
-55°C~150°C TJ
-55°C~150°C TJ
-55°C~150°C TJ
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2006
2006
2008
Код JESD-609
e3
e3
e3
Безоловая кодировка
yes
yes
yes
Состояние изделия
Active
Active
Last Time Buy
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
3
3
3
Код ECCN
EAR99
EAR99
EAR99
Код ТН ВЭД
8541.21.00.95
-
-
Ток постоянного напряжения - номинальный
-30V
-
-30V
Максимальная потеря мощности
225mW
225mW
225mW
Положение терминала
DUAL
DUAL
DUAL
Форма вывода
GULL WING
GULL WING
GULL WING
Моментальный ток
-50mA
-
-50mA
Основной номер части
MBFJ270
MBF4393
MBFJ175
Конфигурация элемента
Single
Single
Single
Режим работы
ENHANCEMENT MODE
DEPLETION MODE
DEPLETION MODE
Распад мощности
225mW
225mW
225mW
Тип ТРВ
P-Channel
N-Channel
P-Channel
Применение транзистора
SWITCHING
SWITCHING
SWITCHING
Напряжение стока-исток (Vdss)
30V
-
30V
Непрерывный ток стока (ID)
-15mA
-
33.5mA
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)
30V
30V
30V
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JUNCTION
JUNCTION
Ток-отвод (Idss) @ Вдс (Vgs=0)
2mA @ 15V
5mA @ 15V
7mA @ 15V
Ток-отсечка (VGS off) @ Id
500mV @ 1nA
500mV @ 10nA
3V @ 10nA
Высота
1.04mm
-
-
Длина
2.9mm
-
-
Ширина
1.3mm
-
-
REACH SVHC
No SVHC
No SVHC
No SVHC
Корпусировка на излучение
No
-
No
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Lead Free
Пороговая напряжённость / В
-
30V
30V
Конечная обработка контакта
-
Tin (Sn)
-
Температура пайки (пиковая) (°C)
-
260
-
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
-
40
-
Число контактов
-
3
-
Квалификационный Статус
-
Not Qualified
-
Без галогенов
-
Halogen Free
-
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds
-
14pF @ 15V
-
Сопротивление открытого канала-макс
-
100Ohm
-
Сопротивление - RDS(на)
-
100Ohm
125Ohm
Сопротивление стока к истоку
-
-
125Ohm